| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-29页 |
| ·稀磁半导体的研究现状与发展趋势 | 第13-17页 |
| ·稀磁半导体简介 | 第13-14页 |
| ·稀磁半导体的研究现状 | 第14-17页 |
| ·稀磁半导体的发展趋势 | 第17页 |
| ·正电子技术研究新型材料的独特优势 | 第17-25页 |
| ·正电子湮没谱学基本原理 | 第17-20页 |
| ·正电子湮没实验技术简介 | 第20-24页 |
| ·正电子应用于新型材料研究的独特优势 | 第24-25页 |
| ·本论文的工作简介 | 第25-27页 |
| ·论文的主要研究内容 | 第25页 |
| ·论文的主要研究方法和实验技术 | 第25-27页 |
| 参考文献 | 第27-29页 |
| 第二章 非磁性阴离子注入MgO或Al_2O_3单晶中的室温铁磁性 | 第29-53页 |
| ·C/N/O离子注入MgO单晶的磁性起源 | 第29-36页 |
| ·实验方案的调研 | 第29-30页 |
| ·实验样品的制备与处理 | 第30-31页 |
| ·磁性测量结果与分析 | 第31-33页 |
| ·XRD测量结果与分析 | 第33-34页 |
| ·慢正电子束实验测量结果与分析 | 第34-36页 |
| ·C/N/O离子注入MgO磁性与缺陷的退火效应分析 | 第36-41页 |
| ·注入样品的退火处理 | 第36页 |
| ·退火后样品的磁性测量结果 | 第36-37页 |
| ·退火后样品的慢正电子束实验测量结果 | 第37-39页 |
| ·实验结果的讨论与分析 | 第39-41页 |
| ·O/C和O/N复合注入MgO中Mg空位的双重磁耦合效应 | 第41-46页 |
| ·复合注入实验样品的准备与处理 | 第42页 |
| ·磁性测量结果与分析 | 第42-44页 |
| ·慢正电子束实验测量结果与分析 | 第44-46页 |
| ·O离子注入Al_2O_3单晶中的缺陷磁性 | 第46-50页 |
| ·实验方案的调研 | 第46-47页 |
| ·实验样品的制备与处理 | 第47-48页 |
| ·磁性测量结果与痕量元素检测分析 | 第48-49页 |
| ·慢正电子束实验测量结果与分析 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-53页 |
| 第三章 过渡金属元素Co或Mn掺杂ZnO薄膜的结构与磁性 | 第53-76页 |
| ·Co掺杂ZnO纳米多晶薄膜中的超顺磁与铁磁性 | 第53-62页 |
| ·实验方案调研 | 第53页 |
| ·实验样品的制备与处理 | 第53-55页 |
| ·磁性测量结果与分析 | 第55-56页 |
| ·薄膜结构表征与分析 | 第56-60页 |
| ·样品退火效应与实验结果讨论 | 第60-62页 |
| ·Mn掺杂ZnO薄膜中的结构与磁性 | 第62-67页 |
| ·实验样品的制备与处理 | 第62-63页 |
| ·薄膜结构表征与分析 | 第63-66页 |
| ·磁性测量结果与讨论 | 第66-67页 |
| ·N离子注入ZnO薄膜中的缺陷磁性及其退火效应 | 第67-72页 |
| ·实验方案调研与样品处理 | 第67-68页 |
| ·磁性测量结果与分析 | 第68-69页 |
| ·样品结构表征与实验结果讨论 | 第69-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-76页 |
| 第四章 Zn注入6H-SiC单晶中的室温铁磁性及其退火变化 | 第76-92页 |
| ·过渡金属Zn离子注入6H-SiC单晶中的室温铁磁性 | 第76-84页 |
| ·实验方案的调研 | 第76-77页 |
| ·实验样品的制备与处理 | 第77-79页 |
| ·磁性测量结果与微结构分析 | 第79-84页 |
| ·样品退火过程中O浸入导致磁性和微观结构的变化 | 第84-88页 |
| ·注入样品的退火处理 | 第84页 |
| ·退火后样品的磁性变化 | 第84-85页 |
| ·退火后样品的微结构分析及实验结果讨论 | 第85-88页 |
| ·本章小结 | 第88-90页 |
| 参考文献 | 第90-92页 |
| 第五章 针对实验研究工作的磁性理论计算 | 第92-119页 |
| ·第一性原理计算方法简介 | 第92-96页 |
| ·密度泛函理论及研究方法 | 第92-94页 |
| ·第一性原理相关软件介绍 | 第94-96页 |
| ·第一性原理应用于磁性半导体计算 | 第96页 |
| ·非磁性阴离子(C/N)掺杂MgO体系的磁性理论计算 | 第96-103页 |
| ·MgO与Al_2O_3体系的缺陷磁性 | 第96-100页 |
| ·C/N离子掺杂MgO中Mg空位对磁性的影响 | 第100-103页 |
| ·过渡金属元素(Co/Mn)掺杂ZnO体系的磁性理论计算 | 第103-108页 |
| ·ZnO体系的缺陷磁性 | 第103-104页 |
| ·Co/Mn掺杂ZnO的O空位与反铁磁性 | 第104-108页 |
| ·SiC本征缺陷磁性及Zn元素掺杂对磁性的影响 | 第108-115页 |
| ·SiC体系的缺陷磁性 | 第108-110页 |
| ·Zn元素掺杂SiC体系的磁性 | 第110-112页 |
| ·缺陷之间的磁耦合相互作用 | 第112-113页 |
| ·Zn与缺陷之间的磁耦合相互作用 | 第113-115页 |
| ·本章小结 | 第115-117页 |
| 参考文献 | 第117-119页 |
| 致谢 | 第119-120页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 | 第120页 |
