| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-19页 |
| ·半导体存储器 | 第9-10页 |
| ·非易失性存储器 | 第10-12页 |
| ·相变存储器 | 第12-17页 |
| ·本论文研究目的与内容结构 | 第17-19页 |
| 2 相变存储器单元的电性能测试 | 第19-41页 |
| ·引言 | 第19页 |
| ·相变存储器单元测试系统解决方案 | 第19-24页 |
| ·相变存储单元测试方法 | 第24-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 3 相变存储器芯片的测试 | 第41-63页 |
| ·相变存储器芯片测试系统设计 | 第41页 |
| ·纳秒脉冲发生器的设计 | 第41-44页 |
| ·引线键合技术 | 第44-48页 |
| ·相变存储芯片测试结果及分析 | 第48-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 4 总结与展望 | 第63-65页 |
| ·总结 | 第63-64页 |
| ·展望 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 附录 攻读学位期间发表论文情况 | 第69页 |