| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 1 绪论 | 第11-27页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·太阳能电池理论基础 | 第12-18页 |
| ·pn 结的形成 | 第12-13页 |
| ·pn 结的光生伏特效应 | 第13-14页 |
| ·太阳能电池的伏安特性 | 第14-15页 |
| ·太阳能电池的表征 | 第15-16页 |
| ·太阳电池效率分析 | 第16-18页 |
| ·太阳能电池的分类 | 第18-22页 |
| ·Si 基太阳能电池 | 第18-19页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ 族化合物太阳电池 | 第19-20页 |
| ·Ⅱ-Ⅵ 族化合物太阳电池 | 第20页 |
| ·染料敏化太阳能电池 | 第20-21页 |
| ·Ⅰ-Ⅲ-Ⅴ 族化合物太阳电池 | 第21-22页 |
| ·吸收层的制备方法 | 第22-25页 |
| ·多元共蒸发法 | 第22-23页 |
| ·金属预置层后硒化法 | 第23-24页 |
| ·电沉积法 | 第24-25页 |
| ·旋涂法(spin coating) | 第25页 |
| ·课题的提出及主要研究内容 | 第25-27页 |
| ·研究的意义 | 第25-26页 |
| ·研究内容 | 第26-27页 |
| 2 薄膜的制备和表征方法 | 第27-35页 |
| ·磁控溅射 | 第27-30页 |
| ·磁控溅射的原理 | 第27-29页 |
| ·实验仪器 | 第29-30页 |
| ·薄膜的生长 | 第30-33页 |
| ·溅射的成膜过程 | 第30-31页 |
| ·薄膜的生长模式与过程 | 第31-33页 |
| ·薄膜表征 | 第33-35页 |
| ·膜厚的测量 | 第33页 |
| ·X-射线衍射 | 第33页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第33-34页 |
| ·X-射线荧光光谱 | 第34-35页 |
| 3 CuInGaSe_2/CuInAlSe_2电子结构与光学特性的计算 | 第35-43页 |
| ·计算模型与方法 | 第35-36页 |
| ·结果与讨论 | 第36-42页 |
| ·能带结构与态密度 | 第36-39页 |
| ·光学特性 | 第39-42页 |
| ·小结 | 第42-43页 |
| 4 溅射制备CIGS 吸收层及性能研究 | 第43-53页 |
| ·CIGS 材料特性 | 第43-45页 |
| ·样品制备 | 第45页 |
| ·CIS 薄膜结构的分析 | 第45-47页 |
| ·衬底温度对薄膜结构的影响 | 第45-46页 |
| ·退火温度对薄膜结构的影响 | 第46-47页 |
| ·薄膜表面形貌的分析 | 第47-50页 |
| ·不同衬底温度下的CIS 薄膜的SEM 分析 | 第47-49页 |
| ·不同退火温度下的CIS 薄膜的SEM 分析 | 第49-50页 |
| ·Ga 的掺入制备CIGS | 第50-52页 |
| ·小结 | 第52-53页 |
| 5 缓冲层和窗口层的制备与性能研究 | 第53-59页 |
| ·缓冲层ZnS | 第53-55页 |
| ·ZnS 样品的制备 | 第54页 |
| ·ZnS 实验结果 | 第54-55页 |
| ·窗口层 ZnO | 第55-57页 |
| ·ZAO 实验结果 | 第55-57页 |
| ·小结 | 第57-59页 |
| 6 总结与展望 | 第59-61页 |
| ·总结 | 第59-60页 |
| ·展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 攻读学位期间取得的成果 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |