| 目录 | 第1-7页 |
| CONTENTS | 第7-9页 |
| 摘要 | 第9-11页 |
| ABSTRACT | 第11-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-28页 |
| ·引言 | 第14页 |
| ·半导体光催化材料的发展历程 | 第14-15页 |
| ·半导体光催化反应原理及影响光催化活性的因素 | 第15-17页 |
| ·半导体共掺杂改性中的电荷补偿机制 | 第17-20页 |
| ·非金属与非金属共掺杂 | 第18-19页 |
| ·金属与金属离子共掺杂 | 第19页 |
| ·非金属与金属离子共掺杂 | 第19-20页 |
| ·本文选题思路及主要研究内容 | 第20-22页 |
| 参考文献 | 第22-28页 |
| 第二章 基本理论方法及其应用 | 第28-44页 |
| ·密度泛函理论 | 第28-37页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第31-33页 |
| ·局域密度近似(Local Density Approximation,LDA) | 第33-35页 |
| ·广义梯度近似(Generalized Gradient Approximation,GGA) | 第35-36页 |
| ·自洽场计算 | 第36-37页 |
| ·本文采用的密度泛函理论计算软件包 | 第37-42页 |
| ·CASTEP软件简介 | 第37-40页 |
| ·DMol~3软件简介 | 第40-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-44页 |
| 第三章 N掺杂CsTaWO_6可见光催化中电荷补偿机制的理论研究 | 第44-63页 |
| ·引言 | 第44-45页 |
| ·计算参数与几何模型 | 第45-46页 |
| ·结果与讨论 | 第46-58页 |
| ·纯相与N_s掺杂CsTaWO_6 | 第46-49页 |
| ·NH_s掺杂CsTaWO_6 | 第49-51页 |
| ·2N_s掺杂CsTaWO_6 | 第51-55页 |
| ·2N_s+V_o掺杂CsYaWO_6 | 第55-58页 |
| ·结论 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 第四章 金属与非金属共掺杂TiO_2表面可见光催化中电荷补偿的理论研究 | 第63-86页 |
| ·引言 | 第63页 |
| ·W/2N共掺杂TiO_2锐钛矿相(101)和金红石相(110)表面 | 第63-73页 |
| ·背景介绍 | 第63-64页 |
| ·计算方法 | 第64页 |
| ·结果与讨论 | 第64-72页 |
| ·本节小结 | 第72-73页 |
| ·La/F共掺杂锐钛矿相TiO_2(101)表面 | 第73-80页 |
| ·背景介绍 | 第73-74页 |
| ·计算方法 | 第74页 |
| ·数据分析与结果讨论 | 第74-80页 |
| ·本节小结 | 第80页 |
| ·本章小结 | 第80-82页 |
| 参考文献 | 第82-86页 |
| 第五章 总结和展望 | 第86-88页 |
| ·本论文的主要结论 | 第86-87页 |
| ·本论文的创新点 | 第87页 |
| ·展望 | 第87-88页 |
| 致谢 | 第88-90页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和参与的科研项目 | 第90-91页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第91页 |
