| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 表格 | 第10-11页 |
| 插图 | 第11-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-21页 |
| ·背景介绍 | 第15页 |
| ·量子计算 | 第15-18页 |
| ·基于电子自旋的固态量子计算 | 第18-19页 |
| ·本文结构 | 第19-21页 |
| 第二章 固态体系中的退相干 | 第21-41页 |
| ·相干及退相干 | 第21-22页 |
| ·马尔可夫量子主方程 | 第22-27页 |
| ·无微波场下二能级体系中的退相干 | 第25-27页 |
| ·固态体系中的退相干 | 第27-37页 |
| ·内部自由度 | 第27-36页 |
| ·外部自由度 | 第36-37页 |
| ·抑制退相干的方法 | 第37-41页 |
| ·量子纠错码 | 第37-39页 |
| ·消相干子空间 | 第39-41页 |
| 第三章 动力学解耦方法抑制退相干 | 第41-51页 |
| ·最简单的动力学解耦方法：Hahn回波 | 第41-43页 |
| ·动力学解耦序列 | 第43-51页 |
| ·嵌套动力学解耦序列 | 第44-46页 |
| ·Uhrig动力学解耦序列 | 第46-51页 |
| 第四章 单比特固态体系动力学解耦方法的实验研究 | 第51-65页 |
| ·辐照丙二酸单晶样品体系 | 第51-55页 |
| ·电子自旋的非均匀展宽和自由感应衰减时间T_2~* | 第55-57页 |
| ·动力学解耦方法提高电子自旋的退相干时间 | 第57-59页 |
| ·丙二酸单晶样品中的退相干机制 | 第59-64页 |
| ·总结 | 第64-65页 |
| 第五章 动力学解耦方法保持两比特纠缠的实验研究 | 第65-79页 |
| ·磷硅半导体体系 | 第65-66页 |
| ·电子自旋-核自旋体系的操控：脉冲双共振技术 | 第66-69页 |
| ·电子自旋-核自旋体系的退相干 | 第69-73页 |
| ·电子自旋的退相干 | 第69-72页 |
| ·核自旋的退相干 | 第72-73页 |
| ·纠缠态的制备及读出 | 第73-76页 |
| ·动力学解耦方法保持量子纠缠 | 第76-79页 |
| 第六章 动力学解耦方法应用的实验研究 | 第79-89页 |
| ·金刚石色心体系 | 第79-81页 |
| ·动力学解耦方法提高相位的灵敏度 | 第81-89页 |
| ·量子计量 | 第81-83页 |
| ·微波相位观测 | 第83-84页 |
| ·退相干限制multi-round方法相位测量的精度 | 第84-86页 |
| ·动力学解耦方法提高相位测量的精度 | 第86-89页 |
| 第七章 动力学解耦方法与鲁棒逻辑门操控 | 第89-97页 |
| ·鲁棒两比特逻辑门 | 第89-91页 |
| ·利用梯度磁场抑制退相干 | 第91-93页 |
| ·魔角旋转抑制退相干 | 第93-97页 |
| 参考文献 | 第97-105页 |
| 附录A 附录 | 第105-117页 |
| A.1 Cluster-Correlation-Expansion(CCE) | 第105-111页 |
| A.1.1 single-sample CCE方法 | 第106-108页 |
| A.1.2 ensemble-sample CCE方法 | 第108-111页 |
| A.2 旋转下哈密顿量的张量描述 | 第111-117页 |
| 致谢 | 第117-119页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第119-120页 |
