| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| ·研究背景 | 第10-12页 |
| ·雪崩光电二极管的发展 | 第12-18页 |
| ·APD的结构 | 第12-17页 |
| ·材料体系 | 第17-18页 |
| ·论文的主要研究内容 | 第18-19页 |
| 参考文献 | 第19-21页 |
| 第二章 APD的基本理论 | 第21-30页 |
| ·APD工作原理 | 第21页 |
| ·APD的性能参数 | 第21-28页 |
| ·耗尽区内的电场强度E | 第21-23页 |
| ·APD的倍增特性 | 第23-25页 |
| ·APD的过剩噪声 | 第25-26页 |
| ·光电转换效率 | 第26-28页 |
| ·暗电流 | 第28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 参考文献 | 第29-30页 |
| 第三章 SAGCM-APD频率响应特性研究 | 第30-49页 |
| ·单层结构二极管频率响应分析 | 第31-35页 |
| ·理论基础 | 第31-33页 |
| ·各种单层结构响应参量的推导 | 第33-35页 |
| ·InGaAs/InGaAsP/Si SAGCM-APD频率响应研究 | 第35-41页 |
| ·频率响应公式推导 | 第35-37页 |
| ·仿真结论分析 | 第37-41页 |
| ·InGaAs/InGaAsP/InP SAGCM-APD频率响应研究 | 第41-47页 |
| ·频率响应公式推导 | 第41-43页 |
| ·仿真结论分析 | 第43-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-49页 |
| 第四章 SAGCM-APD结构参数设计和性能分析 | 第49-59页 |
| ·器件结构 | 第49-52页 |
| ·各结构参数对频率响应特性的影响 | 第52-53页 |
| ·各结构参数对增益因子的影响 | 第53-57页 |
| ·确定结构参数 | 第57页 |
| ·本章小结 | 第57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 第五章 InGaAs/InP SAGCM-APD的实验制备 | 第59-65页 |
| ·InP基SAGCM-APD的后工艺制作 | 第59-62页 |
| ·InP基SAGCM-APD的器件测试 | 第62-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 作者攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第66页 |
