Si晶体中点缺陷和位错交互作用的分子动力学研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-16页 |
| ·课题背景 | 第9-10页 |
| ·失配应变体系中的位错研究综述 | 第10-13页 |
| ·计算机模拟方法 | 第13-14页 |
| ·电子尺度模拟方法 | 第13页 |
| ·原子尺度模拟方法 | 第13-14页 |
| ·介观尺度模拟方法 | 第14页 |
| ·本论文研究内容 | 第14-16页 |
| 第2章 晶体中的点缺陷和位错 | 第16-28页 |
| ·点缺陷 | 第16-18页 |
| ·点缺陷的分类和基本性质 | 第16-17页 |
| ·点缺陷的产生方法 | 第17-18页 |
| ·点缺陷对晶体性质的影响 | 第18页 |
| ·位错 | 第18-27页 |
| ·位错的分类和基本性质 | 第18-20页 |
| ·柏氏回路和柏氏矢量 | 第20-22页 |
| ·Si晶体中60 度位错的微结构 | 第22-26页 |
| ·位错滑移 | 第26-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第3章 分子动力学模拟理论及方法 | 第28-39页 |
| ·基本原理 | 第28页 |
| ·基本运动方程 | 第28-29页 |
| ·数值解法 | 第29-32页 |
| ·原子间相互作用的势函数 | 第32-33页 |
| ·边界条件 | 第33-35页 |
| ·温度控制方法 | 第35-36页 |
| ·压强与应力控制方法 | 第36-37页 |
| ·分子动力学模拟的基本步骤 | 第37-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第4章 Si晶体中点缺陷和位错相互作用的模拟计算 | 第39-54页 |
| ·模型及方法 | 第39-41页 |
| ·空位与位错的相互作用 | 第41-47页 |
| ·空位形成能 | 第41-44页 |
| ·空位对位错运动的影响 | 第44-47页 |
| ·自间隙原子与位错的相互作用 | 第47-53页 |
| ·自间隙原子形成能 | 第47-50页 |
| ·自间隙原子对位错运动的影响 | 第50-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
