| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-27页 |
| ·前言 | 第9-11页 |
| ·SIC材料的发展历程 | 第11-13页 |
| ·SIC晶体的结构和性质 | 第13-16页 |
| ·一维 SIC纳米材料的制备方法 | 第16-21页 |
| ·固相碳源法 | 第16-19页 |
| ·液相碳源法 | 第19页 |
| ·气相碳源法 | 第19-20页 |
| ·制备技术分析和比较 | 第20-21页 |
| ·一维 SIC纳米材料的生长机理 | 第21-24页 |
| ·课题的提出和研究内容 | 第24-27页 |
| ·课题的提出 | 第24-25页 |
| ·研究内容 | 第25-27页 |
| 第二章 实验方法 | 第27-31页 |
| ·实验原料 | 第27页 |
| ·实验设备 | 第27页 |
| ·实验方法 | 第27-31页 |
| ·一维 SiC纳米结构的制备 | 第27-29页 |
| ·测试方法 | 第29-31页 |
| 第三章 SIC纳米线的形貌结构及生长机理分析 | 第31-48页 |
| ·引言 | 第31-32页 |
| ·实验 | 第32-34页 |
| ·原材料与样品的制备 | 第32-34页 |
| ·测试与表征 | 第34页 |
| ·结果与讨论 | 第34-46页 |
| ·温度对产物形貌结构的影响 | 第34-35页 |
| ·保温时间对产物形貌结构的影响 | 第35-36页 |
| ·碳源和硅源距离对产物形貌结构的影响 | 第36-39页 |
| ·不同碳源对产物形貌的影响 | 第39-40页 |
| ·催化剂对SiC纳米线生长及形貌的影响 | 第40页 |
| ·SiC纳米线的生长机理分析 | 第40-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 棱柱状SIC纳米晶须的生长及性能表征 | 第48-56页 |
| ·引言 | 第48页 |
| ·实验 | 第48-49页 |
| ·结果与讨论 | 第49-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 珍珠状 SIC纳米线、SIC纳米线及 SIC/SIO_2同轴纳米电缆的制备与表征 | 第56-64页 |
| ·引言 | 第56页 |
| ·实验 | 第56-57页 |
| ·结果与讨论 | 第57-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第六章 全文总结 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-74页 |
| 攻硕期间发表及待发表的论文 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75页 |