| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-8页 |
| 绪 论 | 第8-10页 |
| 第1章 文献综述 | 第10-27页 |
| 1．1 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体中常见缺陷及其形成过程 | 第10-13页 |
| 1．1．1 点缺陷 | 第10-11页 |
| 1．1．2 位错 | 第11-12页 |
| 1．1．3 面缺陷 | 第12-13页 |
| 1．1．4 体缺陷 | 第13页 |
| 1．2 Ⅱ-Ⅵ族化合物中典型的实验研究 | 第13-15页 |
| 1．2．1 加工过程中的损伤机理 | 第13-14页 |
| 1．2．2 CdZnTe晶体A面和B面 | 第14页 |
| 1．2．3 择优腐蚀机理 | 第14页 |
| 1．2．4 CdZnTe晶体的极性鉴别 | 第14-15页 |
| 1．2．5 位错密度 | 第15页 |
| 1．3 退火对晶体质量的影响 | 第15-21页 |
| 1．3．1 退火对结构缺陷的影响 | 第16-19页 |
| 1．3．2 退火对晶体宏观性能的影响 | 第19页 |
| 1．3．3 退火参数 | 第19-20页 |
| 1．3．4 退火机制 | 第20-21页 |
| 1．4 Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物中的扩散 | 第21-27页 |
| 1．4．1 金属原子的自扩散 | 第21-22页 |
| 1．4．2 Ⅵ族原子的自扩散 | 第22-23页 |
| 1．4．3 杂质原子的扩散 | 第23-24页 |
| 参考文献 | 第24-27页 |
| 第2章 腐蚀实验 | 第27-32页 |
| 2．1 腐蚀液的腐蚀性 | 第27页 |
| 2．2 实验结果 | 第27-28页 |
| 2．2．1 第一次腐蚀 | 第28页 |
| 2．2．2 第二次腐蚀 | 第28-29页 |
| 2．2．3 第三次腐蚀 | 第29页 |
| 2．2．4 第四、五次腐蚀 | 第29-30页 |
| 2．2．5 第六次腐蚀 | 第30页 |
| 2．2．6 第七次腐蚀 | 第30页 |
| 2．2．7 第八次腐蚀 | 第30页 |
| 2．2．8 第九次腐蚀 | 第30-31页 |
| 2．3 分析 | 第31页 |
| 2．4 小结 | 第31页 |
| 参考文献 | 第31-32页 |
| 第3章 CdZnTe晶体的缺陷分析与测试 | 第32-48页 |
| 3．1 晶体的微观缺陷分析 | 第32页 |
| 3．1．1 关于晶界、孪晶界、亚晶界 | 第32-33页 |
| 3．1．2 沉淀相 | 第33-35页 |
| 3．1．3 位错及亚结构 | 第35-38页 |
| 3．2 生长态CdZnTe晶体宏观质量的评价 | 第38页 |
| 3．2．1 红外透过率的测定 | 第38-43页 |
| 3．2．2 单晶摇摆曲线的测定 | 第43-45页 |
| 3．3 CdZnTe中成分的不均匀 | 第45页 |
| 3．3．1 Zn的径向偏析 | 第45-46页 |
| 3．3．2 杂质的偏聚 | 第46页 |
| 3．4 小结 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-48页 |
| 第4章 退火实验方法 | 第48-53页 |
| 4．1 实验所用晶片简介 | 第48页 |
| 4．2 退火实验设备 | 第48-49页 |
| 4．3 实验参数 | 第49页 |
| 4．4 退火实验中Cd压的控制 | 第49-50页 |
| 4．5 降温过程中的相变与冷却方式的选择 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-53页 |
| 第5章 退火对CdZnTe材料性能的影响 | 第53-62页 |
| 5．1 退火对红外透过率的影响 | 第53-54页 |
| 5．2 退火对结晶质量的影响 | 第54页 |
| 5．2．1 晶体表面宏观现象 | 第54页 |
| 5．2．2 摇摆曲线的变化 | 第54-55页 |
| 5．2．3 退火后晶体表面出现的缺陷 | 第55-56页 |
| 5．3 退火对微观组织的影响 | 第56页 |
| 5．3．1 Te沉淀形态的变化 | 第56-58页 |
| 5 3．2 慧尾状缺陷 | 第58-59页 |
| 5．4 退火对成分分布的影响 | 第59页 |
| 5．4．1 退火晶体表面成分分布的影响 | 第59-60页 |
| 5．4．2 退火对断面成分分布的影响 | 第60-61页 |
| 5．5 小结 | 第61页 |
| 参考文献 | 第61-62页 |
| 第6章 不同退火条件下退火效果的对比 | 第62-68页 |
| 6．1 退火时间对退火效果的影响 | 第62页 |
| 6．1．1 不同退火时间对成分的影响 | 第62页 |
| 6．1．2 低温退火时间长短对红外透过率的影响 | 第62-64页 |
| 6．2 多阶段退火和一阶段退火的对比 | 第64页 |
| 6．2．1 两阶段退火和低温退火后红外透过率的对比 | 第64-65页 |
| 6．2．2 两阶段退火和一阶段退火对成分变化的影响 | 第65页 |
| 6．2．3 两阶段退火和一阶段退火对结晶质量的影响 | 第65-66页 |
| 6．3 不同冷却条件下退火结果的对比 | 第66页 |
| 6．4 蒸发源成分对退火结果的影响 | 第66-67页 |
| 6．5 小结 | 第67-68页 |
| 第7章 特殊条件下的退火 | 第68-73页 |
| 7．1 晶片的红外透过率 | 第68-69页 |
| 7．2 晶片的结晶质量 | 第69页 |
| 7．2．1 晶片的宏观现象 | 第69页 |
| 7．2．2 晶片的结晶质量 | 第69页 |
| 7．3 微观结构 | 第69-70页 |
| 7．4 晶片成分 | 第70页 |
| 7．4．1 晶片上特殊位置成分 | 第70-71页 |
| 7．4．2 面分析结果 | 第71页 |
| 7．4．3 断面成分分析 | 第71-72页 |
| 7．5 讨论 | 第72页 |
| 7．6 小结 | 第72页 |
| 参考文献 | 第72-73页 |
| 主要结论 | 第73-74页 |
| 致 谢 | 第74页 |
