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增益自适应CMOS射频低噪声放大器芯片的设计研究

摘要第1-5页
Abstract第5-11页
第一章 绪论第11-18页
   ·课题研究意义第11-13页
   ·低噪声放大器(LNA)中的关键技术问题第13-14页
   ·LNA目前的研究进展第14-16页
   ·本论文的主要研究工作和章节安排第16-18页
第二章 高频低噪声放大器设计理论基础第18-33页
   ·噪声的理论基础第18-24页
     ·噪声的表示和计量方法第18页
     ·电子器件中的噪声第18-20页
     ·经典二端口网络噪声理论第20-23页
     ·多级线形网络级联的噪声系数第23-24页
   ·MOS管的高频噪声第24-30页
     ·漏极电流噪声第24-25页
     ·MOS管的射频模型第25-26页
     ·MOSFET二端口网络噪声第26-30页
   ·各种小信号放大器原理第30-32页
   ·本章小结第32-33页
第三章 共源共栅LNA的基本结构及其原理第33-41页
   ·电感源极负反馈共源共栅LNA基本结构及其设计原理第33-37页
   ·功耗约束下的噪声优化技术第37-40页
   ·本章小结第40-41页
第四章 自适应增益放大器原理第41-45页
   ·增益自适应调节原理第41-43页
   ·本自适应增益LNA实现方法第43-44页
   ·本章小结第44-45页
第五章 增益自适应差分LNA的芯片设计第45-63页
   ·性能设计要求第45页
   ·总体电路设计第45-48页
   ·LNA电路模块设计第48-51页
     ·噪声的优化第48-49页
     ·增益第49-51页
   ·增益自适应控制模块设计第51-57页
   ·性能仿真第57-62页
   ·本章小结第62-63页
第六章 版图设计第63-71页
   ·TSMC-0.18μm RF-CMOS工艺PDK版图介绍及器件版图第63-66页
   ·整体版图布局第66-70页
   ·本章小结第70-71页
第七章 总结与展望第71-72页
参考文献第72-77页
附录A TSMC-0.18μm MOS器件模型参数第77-80页
附录B 硕士期间发表的论文第80-81页
致谢第81页

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