基于氟化镁波导的乐甫波器件特性研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| ·声表面波传感器概述 | 第9-13页 |
| ·声表面波器件基本结构及原理 | 第9-11页 |
| ·延迟线和谐振型器件 | 第11-13页 |
| ·声表面波传感器的基本类型 | 第13-16页 |
| ·瑞利波传感器 | 第13页 |
| ·剪切声板波传感器 | 第13-14页 |
| ·Lamb波传感器 | 第14页 |
| ·浅体声波传感器 | 第14-15页 |
| ·Love波传感器 | 第15-16页 |
| ·本论文的研究内容及安排 | 第16-17页 |
| 第二章 乐甫波传感器 | 第17-27页 |
| ·乐甫波的理论 | 第17-19页 |
| ·乐甫波的形成 | 第17-19页 |
| ·乐甫波的质量灵敏度 | 第19页 |
| ·乐甫波传感器研究现状 | 第19-24页 |
| ·有机波导材料 | 第20-21页 |
| ·无机波导材料 | 第21-23页 |
| ·复合波导材料 | 第23-24页 |
| ·乐甫波器件的模拟与仿真 | 第24-26页 |
| ·小结 | 第26-27页 |
| 第三章 乐甫波器件制备工艺 | 第27-33页 |
| ·SSBW器件制备 | 第27-29页 |
| ·基片的选择 | 第27-28页 |
| ·制备IDT的基本工艺 | 第28-29页 |
| ·波导薄膜制备 | 第29-33页 |
| ·薄膜制备 | 第29-30页 |
| ·薄膜表征方法 | 第30-33页 |
| 第四章 氟化镁波导薄膜制备与表征 | 第33-47页 |
| ·制备工艺对薄膜性能的影响 | 第33-40页 |
| ·不同沉积速率对薄膜的影响 | 第33-36页 |
| ·基板温度对薄膜的影响 | 第36-40页 |
| ·不同沉积时间对薄膜的影响 | 第40页 |
| ·退火处理对薄膜的影响 | 第40-43页 |
| ·波导薄膜密度 | 第43-46页 |
| ·QCM介绍 | 第43-44页 |
| ·薄膜密度的测量 | 第44-46页 |
| ·小结 | 第46-47页 |
| 第五章 乐甫波器件性能测试 | 第47-59页 |
| ·氟化镁波导材料 | 第47页 |
| ·波导层厚度对乐甫波器件性能的影响 | 第47-51页 |
| ·频率 | 第47-48页 |
| ·插损 | 第48-49页 |
| ·Q值 | 第49-50页 |
| ·质量灵敏度 | 第50-51页 |
| ·不同退火温度对器件性能的影响 | 第51-55页 |
| ·频率 | 第51-53页 |
| ·插损与Q值 | 第53-54页 |
| ·质量灵敏度 | 第54-55页 |
| ·复合波导对器件性能的影响 | 第55-58页 |
| ·频率 | 第55-57页 |
| ·插损 | 第57页 |
| ·质量灵敏度 | 第57-58页 |
| ·小结 | 第58-59页 |
| 第六章 结论与展望 | 第59-61页 |
| ·结论 | 第59-60页 |
| ·展望 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第66页 |
