| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-10页 |
| §1.1 引言 | 第7页 |
| §1.2 国内外发展现状 | 第7-9页 |
| §1.3 本论文的内容介绍 | 第9-10页 |
| 第二章 基本原理 | 第10-25页 |
| §2.1 硅的基本性质和电光效应 | 第10-16页 |
| §2.2 激光诱导等离子体的原理 | 第16-21页 |
| §2.3 激光等离子体发射光谱及谱线的加宽 | 第21-25页 |
| 第三章 实验 | 第25-29页 |
| §3.1 实验装置 | 第25-27页 |
| §3.2 光谱法测量 | 第27-29页 |
| 第四章 激光辐照Si等离子体光谱的分析 | 第29-36页 |
| §4.1 激光辐照Si等离子体的原子光谱线型分析 | 第29-32页 |
| §4.2 激光能量对激光辐照Si等离子体光谱的影响 | 第32-33页 |
| §4.3 激光辐照Si等离子体电子温度的测量 | 第33-36页 |
| 第五章 激光辐照Si过程中的热相变、热应力损伤 | 第36-47页 |
| §5.1 激光辐照下单晶Si表面破坏 | 第36-40页 |
| §5.2 激光相变烧蚀和热应力损伤理论 | 第40-47页 |
| 结论 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-50页 |