有机静电感应晶体管工作机理的解析
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-12页 |
| 第1章绪论 | 第12-22页 |
| ·研究背景及意义 | 第12-14页 |
| ·国内外相关领域的研究概况 | 第14-20页 |
| ·有机半导体材料的研究进展 | 第14-17页 |
| ·有机薄膜晶体管的发展 | 第17-18页 |
| ·静电感应器件的发展 | 第18-20页 |
| ·待深入研究的问题 | 第20页 |
| ·课题来源和主要研究内容 | 第20-22页 |
| 第2 章晶体管基本理论 | 第22-39页 |
| ·金属和半导体的接触 | 第22-29页 |
| ·金属半导体的接触势垒 | 第22-24页 |
| ·金属－半导体接触的整流效应 | 第24-28页 |
| ·欧姆接触 | 第28-29页 |
| ·有机半导体材料导电性理论 | 第29-32页 |
| ·有机半导体材料的理论模型 | 第29-30页 |
| ·有机材料内的载流子传输 | 第30-32页 |
| ·静电感应晶体管相关理论 | 第32-37页 |
| ·沟道势垒控制 | 第32-34页 |
| ·电流－电压特性 | 第34-37页 |
| ·典型分类 | 第37页 |
| ·本章小结 | 第37-39页 |
| 第3 章有机静电感应晶体管样品的制作及仿真解析 | 第39-56页 |
| ·OSIT 样品的制作 | 第39-40页 |
| ·有限元法的MARC 实现 | 第40-44页 |
| ·有限元法简介 | 第40-41页 |
| ·MSC.Marc 简介 | 第41页 |
| ·有机静电感应晶体管的物理模型 | 第41-44页 |
| ·OSIT 工作特性仿真分析结果 | 第44-54页 |
| ·漏极偏压对OSIT 特性的影响 | 第44-46页 |
| ·栅极偏压对OSIT 特性的影响 | 第46-49页 |
| ·栅极长度对OSIT 沟道势垒的影响 | 第49-53页 |
| ·沟道宽度对OSIT 特性的影响 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 第4 章 OSIT 工作特性的数值分析 | 第56-70页 |
| ·有机半导体材料中载流子的注入和输运理论 | 第56-58页 |
| ·OSIT 的电流－电压特性测试曲线 | 第58-59页 |
| ·OSIT 电流－电压特性的数值解析 | 第59-69页 |
| ·小电压范围分析 | 第62-64页 |
| ·大电压范围分析 | 第64-67页 |
| ·讨论 | 第67-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 结论 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-77页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78页 |
