| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 前言 | 第9-20页 |
| ·光子晶体的提出 | 第9-10页 |
| ·光子晶体的类型 | 第10-12页 |
| ·光子晶体的性质和应用 | 第12-15页 |
| ·课题的内容及意义 | 第15-20页 |
| 第二章 光子晶体的研究方法 | 第20-34页 |
| ·光子晶体的原理 | 第20-22页 |
| ·光子晶体的研究方法 | 第22-24页 |
| ·光子晶体传输矩阵研究方法 | 第24-30页 |
| ·一维光子晶体传输矩阵 | 第24-28页 |
| ·二维光子晶体传输矩阵 | 第28-30页 |
| ·Translight光子带隙计算软件 | 第30-34页 |
| 第三章 AlN/P3OT多层膜结构一维光子晶体 | 第34-43页 |
| ·多层膜一维光子晶体简介 | 第34-35页 |
| ·结构模型和计算方法 | 第35-37页 |
| ·介质层数变化对H-和E-polarization偏振反射谱及吸收谱的影响 | 第37-38页 |
| ·单胞参数和填充比对反射谱的影响 | 第38-40页 |
| ·入射角θ随光子能量E变化的透射特性 | 第40-43页 |
| 第四章 Ⅲ-Ⅴ族半导体材料二维光子晶体 | 第43-55页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ族半导体薄膜网格结构简介 | 第43-44页 |
| ·结构模型及计算方法 | 第44-45页 |
| ·AlN薄膜四方网格结构带隙分析 | 第45-49页 |
| ·填充比对反射谱的影响 | 第45-46页 |
| ·单胞参数对反射谱的影响 | 第46-47页 |
| ·AlN薄膜四方网格结构的反射和透射特性 | 第47-48页 |
| ·入射角θ随光子能量E变化的透射特性 | 第48-49页 |
| ·InP薄膜网格结构带隙分析 | 第49-53页 |
| ·InP薄膜四方网格结构的反射和透射特性 | 第50-52页 |
| ·入射角θ随光子能量E变化的透射特性 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 有机材料二维光子晶体 | 第55-71页 |
| ·有机材料光子晶体简介 | 第55页 |
| ·P3OT柱状三角结构带隙分析 | 第55-60页 |
| ·结构模型及计算方法 | 第55-57页 |
| ·介质层数变化对H-和E-polarization偏振反射谱及吸收谱的影响 | 第57-58页 |
| ·单胞参数和填充比对反射谱的影响 | 第58-59页 |
| ·入射角θ随光子波长变化的透射特性 | 第59-60页 |
| ·NPB薄膜网状结构的带隙分析 | 第60-69页 |
| ·结构模型 | 第60-62页 |
| ·NPB薄膜三角形网络二维光子晶体Г-K方向光子能带结构 | 第62-65页 |
| ·NPB薄膜三角形网络二维光子晶体Г-M方向光子能带结构 | 第65-69页 |
| ·本章小结 | 第69-71页 |
| 第六章 结论 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 发表的学术论文 | 第74页 |
