射频CMOS功率放大器的研究与应用
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| ·CMOS无线收发器的体系结构 | 第8-11页 |
| ·CMOS射频功率放大器的设计局限性 | 第11-12页 |
| ·衡量射频功率放大器的基本参数 | 第12-16页 |
| ·输出功率 | 第12-13页 |
| ·效率 | 第13页 |
| ·附加功率效率（PAE） | 第13页 |
| ·线性度 | 第13-16页 |
| 第二章 射频功率放大器设计的关键技术 | 第16-24页 |
| ·深亚微米CMOS器件的短沟效应 | 第16-18页 |
| ·短沟效应对阈值电压的影响 | 第16-17页 |
| ·短沟效应对漏极电流的影响 | 第17-18页 |
| ·深亚微米CMOS器件的击穿电压 | 第18-19页 |
| ·CMOS晶体管的跨导 | 第19-20页 |
| ·射频功率放大器的功耗 | 第20页 |
| ·射频功率放大器输出级器件尺寸 | 第20-22页 |
| ·CMOS工艺的衬底问题 | 第22页 |
| ·小结 | 第22-24页 |
| 第三章 射频功率放大器设计的方案选择和线性化技术 | 第24-46页 |
| ·线性功率放大器 | 第24-32页 |
| ·A类功率放大器 | 第25-26页 |
| ·B类功率放大器 | 第26-28页 |
| ·C类功率放大器 | 第28-31页 |
| ·AB类功率放大器 | 第31-32页 |
| ·非线性功率放大器 | 第32-38页 |
| ·D类功率放大器 | 第32-34页 |
| ·E类功率放大器 | 第34-35页 |
| ·F类功率放大器 | 第35-38页 |
| ·功率放大器方案的选择 | 第38页 |
| ·射频功率放大器的线性化技术 | 第38-44页 |
| ·功率回退 | 第39页 |
| ·前馈 | 第39-40页 |
| ·预失真 | 第40-42页 |
| ·使用非线性元件的线性化技术（LINC） | 第42-43页 |
| ·包络的消除与再生 | 第43-44页 |
| ·频谱再生 | 第44页 |
| ·射频功率放大器输出功率的可控性 | 第44-45页 |
| ·射频功率放大器的稳定性 | 第45页 |
| ·小结 | 第45-46页 |
| 第四章 射频CMOS功率放大器的设计 | 第46-64页 |
| ·双带射频CMOS功率放大器的设计 | 第46-57页 |
| ·功率放大器设计的参数指标 | 第46-48页 |
| ·功率放大器的电路结构设计 | 第48-49页 |
| ·仿真结果和版图考虑 | 第49-56页 |
| ·衬底耦合问题 | 第56-57页 |
| ·功率放大器的测试 | 第57页 |
| ·蓝牙CMOS射频功率放大器的设计 | 第57-61页 |
| ·蓝牙射频功率放大器的电路结构 | 第58-60页 |
| ·蓝牙射频功率放大器的版图设计 | 第60-61页 |
| ·射频功率放大器设计的最新进展 | 第61-63页 |
| ·小结 | 第63-64页 |
| 第五章 关键技术与实验结果 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |
| 研究成果 | 第70-72页 |
| 附录 | 第72-80页 |
| 附录A 测试报告 | 第72-76页 |
| 附录B MPW2 仿真结果 | 第76-78页 |
| 附录C 测试PCB照片 | 第78-80页 |
| 附录D 无线收发系统版图照片 | 第80页 |
