| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-10页 |
| 引言 | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-32页 |
| §1.1 前言 | 第12-14页 |
| §1.2 硫系离子敏感材料 | 第14-23页 |
| §1.2.1 离子敏感硫系材料发展历程 | 第14-17页 |
| §1.2.2 离子敏感硫系材料的掺杂性能 | 第17-19页 |
| §1.2.3 离子敏感硫系材料的制备方法 | 第19-20页 |
| §1.2.4 离子敏感硫系材料的性能参数 | 第20-22页 |
| §1.2.5 硫系离子敏感材料的干扰机理 | 第22-23页 |
| §1.2.6 硫系离子敏感材料的研究趋势 | 第23页 |
| §1.3 Ge-Sb-Se系离子敏感材料 | 第23-30页 |
| §1.3.1 Ge-Sb-Se系材料的结构 | 第24-26页 |
| §1.3.2 Ge(-Sb)-Se系离子敏感材料研究 | 第26-27页 |
| §1.3.3 Ge-Sb-Se系材料的离子敏感机理 | 第27-30页 |
| §1.4 研究目的和意义 | 第30-32页 |
| 第二章 实验方法与设备 | 第32-38页 |
| §2.1 原料及设备 | 第32-34页 |
| §2.1.1 实验原材料 | 第32-33页 |
| §2.1.2 基板材料 | 第33页 |
| §2.1.3 实验设备 | 第33-34页 |
| §2.2 分析测试仪器及方法 | 第34-38页 |
| §2.2.1 X射线衍射(XRD) | 第34-35页 |
| §2.2.2 紫外可见光谱(U-V spectrum) | 第35页 |
| §2.2.3 场发射扫描电镜(SEM) | 第35页 |
| §2.2.4 原子力显微镜测试(AFM) | 第35-36页 |
| §2.2.5 霍尔效应测试(Hall) | 第36页 |
| §2.2.6 双电极电位计 | 第36-37页 |
| §2.2.7 电化学阻抗谱(EIS) | 第37页 |
| §2.2.8 其他分析测试仪器 | 第37-38页 |
| 第三章 Ni，Fe离子掺杂对Ge-Sb-Se薄膜的结构与性能影响研究 | 第38-50页 |
| §3.1 引言 | 第38页 |
| §3.2 实验过程与方法 | 第38-40页 |
| §3.3 结果与讨论 | 第40-48页 |
| §3.3.1.不同掺杂元素对薄膜表面形貌的影响 | 第40-41页 |
| §3.3.2.不同掺杂元素对薄膜光学性能与电学性能的影响 | 第41-45页 |
| §3.3.3.不同掺杂元素对薄膜介电性能的影响 | 第45-46页 |
| §3.3.4.不同掺杂元素对薄膜电化学性能的影响 | 第46-48页 |
| §3.4 小结 | 第48-50页 |
| 第四章 CdS掺杂量对Ge-Sb-Se薄膜结构与性能影响研究 | 第50-58页 |
| §4.1 引言 | 第50-51页 |
| §4.2 实验过程与方法 | 第51页 |
| §4.3 结果与讨论 | 第51-56页 |
| §4.3.1 制备工艺对CdS掺杂Ge-Sb-Se薄膜的影响 | 第51-53页 |
| §4.3.2 CdS掺杂量对Ge-Sb-Se薄膜光学性能的影响 | 第53-56页 |
| §4.3.3 CdS掺杂量对Ge-Sb-Se薄膜电学性能的影响 | 第56页 |
| §4.4 小结 | 第56-58页 |
| 第五章 衬底温度对CdS掺杂Ge-Sb-Se薄膜结构与性能影响研究 | 第58-71页 |
| §5.1 引言 | 第58页 |
| §5.2 实验过程与方法 | 第58-59页 |
| §5.3 结果与讨论 | 第59-69页 |
| §5.3.1 衬底温度对CdS掺杂Ge-Sb-Se薄膜的结构影响研究 | 第59-63页 |
| §5.3.2 衬底温度对CdS掺杂Ge-Sb-Se薄膜的光学性能影响研究 | 第63-65页 |
| §5.3.3 衬底温度对CdS掺杂Ge-Sb-Se薄膜的电学性能影响研究 | 第65-66页 |
| §5.3.4 CdS掺杂Ge-Sb-Se薄膜的电化学性能研究 | 第66-69页 |
| §5.4 小结 | 第69-71页 |
| 第六章 结论 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 附录：硕士研究生期间发表的论文及研究成果 | 第79页 |
