| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-22页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·应用于存储器的几种铁电薄膜材料 | 第9-11页 |
| ·铁电薄膜材料的制备技术 | 第11-13页 |
| ·铁电材料应用于存储器的原理 | 第13-15页 |
| ·铁电薄膜存储器 | 第15-20页 |
| ·本文研究的主要内容 | 第20-22页 |
| 2 Bi_4Ti_3O_12铁电薄膜的制备及微观结构分析 | 第22-41页 |
| ·引言 | 第22-23页 |
| ·Sol-Gel 成膜技术 | 第23-25页 |
| ·Bi_4Ti_3O_12 铁电薄膜的Sol-Gel 工艺制备 | 第25-28页 |
| ·铁电薄膜的物理性能及其表征 | 第28-30页 |
| ·Bi_4Ti_3O_12 铁电薄膜的微结构分析 | 第30-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 3 Bi_4Ti_3O_12铁电薄膜的慢正电子束研究 | 第41-51页 |
| ·引言 | 第41-42页 |
| ·正电子和正电子湮没 | 第42-46页 |
| ·测量方法 | 第46页 |
| ·Bi_4Ti_3O_12 铁电薄膜的慢正电子束分析 | 第46-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 4 金属/SiO_2/Si 基 Bi_4Ti_3O_12铁电薄膜系统的 J-V 特性研究 | 第51-58页 |
| ·Pt/Ti/SiO_2/Si 衬底Bi_4Ti_3O_12 铁电薄膜系统的J-V 特性 | 第51-56页 |
| ·本章小结 | 第56-58页 |
| 5 Bi_4Ti_3O_12铁电薄膜的铁电性研究 | 第58-72页 |
| ·电滞回线相关理论 | 第58-59页 |
| ·铁电性的测量原理及方法 | 第59-62页 |
| ·退火工艺对铁电性的影响 | 第62-66页 |
| ·衬底及测试结构对电滞回线的影响 | 第66-70页 |
| ·本章小结 | 第70-72页 |
| 6 全文总结 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-81页 |
| 附录 1 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第81页 |
