| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-16页 |
| ·研究背景 | 第12-13页 |
| ·半导体纳米材料及其性质 | 第12页 |
| ·半导体纳米线及其应用 | 第12-13页 |
| ·论文的结构安排 | 第13-15页 |
| 参考文献 | 第15-16页 |
| 第二章 纳米线的制备方法 | 第16-26页 |
| ·气相法 | 第16-22页 |
| ·气-液-固(VLS)生长机制 | 第16-21页 |
| ·气-固(VS)生长机制 | 第21-22页 |
| ·溶液法 | 第22页 |
| ·本章小结 | 第22-24页 |
| 参考文献 | 第24-26页 |
| 第三章 纳米线的表征方法和测试技术 | 第26-33页 |
| ·扫描电子显微镜技术(SEM) | 第26-28页 |
| ·透射电子显微镜技术(TEM) | 第28-29页 |
| ·光致发光(PL)谱 | 第29-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 参考文献 | 第32-33页 |
| 第四章 GaAs纳米线的p型和n型掺杂研究 | 第33-43页 |
| ·GaAs纳米线p型掺杂研究 | 第33-36页 |
| ·国外GaAs纳米线p型掺杂研究成果 | 第33-35页 |
| ·GaAs纳米线p型掺杂实验研究 | 第35-36页 |
| ·GaAs纳米线n型掺杂研究 | 第36-39页 |
| ·国外GaAs纳米线n型掺杂研究成果 | 第36-38页 |
| ·GaAs纳米线n型掺杂实验研究 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-41页 |
| 参考文献 | 第41-43页 |
| 第五章 GaAs纳米线pn结研究 | 第43-69页 |
| ·GaAs纳米线pn结理论研究 | 第43-49页 |
| ·轴向pn-GaAs纳米线的掺杂浓度计算和pn结过渡区仿真 | 第43-44页 |
| ·轴向pn-GaAs纳米线过渡区仿真 | 第44-49页 |
| ·径向pn-GaAs纳米线实验研究 | 第49-65页 |
| ·国外轴向pn-GaAs纳米线研究成果 | 第49-51页 |
| ·国外径向pn-GaAs纳米线研究成果 | 第51-55页 |
| ·径向pn-GaAs纳米线实验设计 | 第55-57页 |
| ·径向pn-GaAs纳米线实验结果及分析 | 第57-65页 |
| ·径向pn-GaAs纳米线电极制备 | 第65-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-69页 |
| 附录1 | 第69-70页 |
| 附录2 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-74页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第74页 |