| 第一章 绪论 | 第1-15页 |
| §1．1 概论 | 第6-7页 |
| §1．2 无线射频前端的结构 | 第7-10页 |
| §1．3 应用于无线射频前端的集成技术 | 第10页 |
| §1．4 CMOS无线射频前端的历史、现状和未来 | 第10-11页 |
| §1．5 CMOS射频前端中的低噪声放大器 | 第11-13页 |
| §1．6 论文内容和成果及章节安排 | 第13-15页 |
| 第二章 噪声理论 | 第15-18页 |
| §2．1 噪声的统计特性 | 第15页 |
| §2．2 噪声系数 | 第15页 |
| §2．3 多级线形级联网络的噪声系数 | 第15-16页 |
| §2．4 二端口噪声理论 | 第16-18页 |
| 第三章 MOSFET技术 | 第18-33页 |
| §3．1 MOSFET技术的历史 | 第18页 |
| §3．2 MOSFET的结构 | 第18-19页 |
| §3．3 MOSFET模型 | 第19-22页 |
| §3．3．1 长沟道模型 | 第19-21页 |
| §3．3．2 短沟道模型 | 第21-22页 |
| §3．4 MOSFET高频小信号等效电路和ω_T | 第22-23页 |
| §3．5 MOSFET的网络参量 | 第23-26页 |
| §3．5．1 MOSFET的Y参数 | 第24页 |
| §3．5．2 S参数 | 第24-25页 |
| §3．5．3 网络参数间的互相转换 | 第25-26页 |
| §3．6 MOSFET放大器的稳定性 | 第26-27页 |
| 3．7 MOSFET的MILLER效应 | 第27-29页 |
| §3．7．1 Miller定理 | 第27-28页 |
| §3．7．2 C_(gd)的Miller效应 | 第28-29页 |
| §3．8 MOSFET噪声模型 | 第29-33页 |
| §3．8．1 MOSFET噪声源 | 第29-31页 |
| §3．8．2 MOSFET的噪声模型 | 第31页 |
| §3．8．3 MOSFET二端口噪声分析 | 第31-33页 |
| 第四章 共栅结构低噪声放大器 | 第33-40页 |
| §4．1 基本结构 | 第33页 |
| §4．2 小信号分析 | 第33-34页 |
| §4．3 噪声分析 | 第34-37页 |
| §4．4 共栅结构低噪放的噪声优化设计 | 第37-40页 |
| 第五章 CMOS共源共栅级联源极负反馈低噪声放大器 | 第40-67页 |
| §5．1 结构分析 | 第40-41页 |
| §5．1．1 源极负反馈 | 第40页 |
| §5．1．2 共栅极级联 | 第40-41页 |
| §5．2 共源共栅源极负反馈结构的电路小信号分析 | 第41-44页 |
| §5．2．1 输入共源极的小信号分析 | 第41-43页 |
| §5．2．2 级联共栅极小信号分析 | 第43-44页 |
| §5．2．3 放大器整体的小信号分析 | 第44页 |
| §5．3 共源共栅源极负反馈结构的噪声分析 | 第44-48页 |
| §5．3．1 噪声系数计算 | 第44-47页 |
| §5．3．2 二端口噪声理论分析 | 第47-48页 |
| §5．4 共源共栅源极负反馈结构的噪声优化 | 第48-67页 |
| §5．4．1 输入共源管的噪声优化 | 第48-56页 |
| §5．4．2 电感伴生电阻热噪声的优化 | 第56-60页 |
| §5．4．3 级联共栅极的噪声优化 | 第60-67页 |
| 第六章 反相器结构的低噪声放大器 | 第67-71页 |
| §6．1 基本结构 | 第67页 |
| §6．2 电流再使用技术 | 第67-68页 |
| §6．3 源极负反馈 | 第68-70页 |
| §6．4 设计方法 | 第70-71页 |
| 第七章 总结和展望 | 第71-73页 |
| §7．1 本文总结 | 第71页 |
| §7．2 当前的情况和对未来的展望 | 第71-73页 |
| 附录1 MOSFET寄生电容的计算方法 | 第73-74页 |
| 附录2 TSMC 0.35UM CMOS工艺的BSIM3参数 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-78页 |
| 致谢 | 第78页 |