| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-22页 |
| ·光通信网络与光子器件 | 第9-10页 |
| ·光网络的发展 | 第9-10页 |
| ·光子器件的发展 | 第10页 |
| ·波导型光分路器/耦合器 | 第10-13页 |
| ·分类 | 第10-11页 |
| ·材料 | 第11-12页 |
| ·波导型光子器件的制作工艺 | 第12-13页 |
| ·封装和测试技术 | 第13页 |
| ·数值分析方法 | 第13-18页 |
| ·本征值分析方法 | 第14-15页 |
| ·束传播法 | 第15-16页 |
| ·时域有限差分法 | 第16-18页 |
| ·本文主要工作 | 第18-19页 |
| 参考文献 | 第19-22页 |
| 第2章 光波导与耦合光波导半矢量分析 | 第22-39页 |
| ·本征值半矢量分析 | 第22-34页 |
| ·伽辽金法 | 第22-24页 |
| ·伽辽金法用于光波导本征值分析 | 第24-26页 |
| ·变量变换伽辽金法 | 第26-31页 |
| ·数值结果与讨论 | 第31-34页 |
| ·基于变量变换伽辽金法的半矢量束传播法(SVTGM-SV-BPM) | 第34-37页 |
| ·三维形式 | 第34-35页 |
| ·数值结果与讨论 | 第35-37页 |
| ·小结 | 第37页 |
| 参考文献 | 第37-39页 |
| 第3章 多模干涉自镜像原理 | 第39-53页 |
| ·普通干涉自镜像效应 | 第39-44页 |
| ·N×N情形 | 第39-44页 |
| ·1×N情形 | 第44页 |
| ·2×N情形 | 第44页 |
| ·重叠干涉自镜像效应 | 第44-50页 |
| ·1×N情形 | 第46-47页 |
| ·2×N情形 | 第47-49页 |
| ·N×N情形 | 第49-50页 |
| ·减小器件长度的方法 | 第50-52页 |
| ·锥形(taper)多模干涉耦合器 | 第50-51页 |
| ·弯曲多模干涉耦合器 | 第51-52页 |
| ·小结 | 第52页 |
| 参考文献 | 第52-53页 |
| 第4章 InGaAs/InAlAs多量子阱多模干涉光分路器/耦合器 | 第53-67页 |
| ·材料结构 | 第53-57页 |
| ·多量子阱半导体材料的量子束缚Stark效应 | 第53-55页 |
| ·材料结构 | 第55-56页 |
| ·光波导结构 | 第56-57页 |
| ·2×2 InGaAs/InAlAs可调多量子阱多模干涉光分路器/耦合器 | 第57-64页 |
| ·器件结构与工作原理 | 第57-58页 |
| ·优化设计 | 第58-63页 |
| ·几何结构优化设计 | 第58-61页 |
| ·电极优化设计 | 第61-63页 |
| ·最终参数与数值结果 | 第63-64页 |
| ·2×2 S形多量子阱多模干涉光分路器/耦合器 | 第64-66页 |
| ·器件结构与工作原理 | 第64-65页 |
| ·优化设计 | 第65-66页 |
| ·最终参数与数值结果 | 第66页 |
| ·以后将要进一步开展的工作 | 第66页 |
| ·非矩形多模干涉光分路器/耦合器自镜像原理探讨 | 第66页 |
| ·超短N×N可调InGaAs/InAlAs多量子阱多模干涉光分路器/耦合器 | 第66页 |
| ·以光分路器/耦合器为基础的复杂器件研究 | 第66页 |
| ·器件的制作与测试 | 第66页 |
| ·小结 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-68页 |
| 结束语 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
