| 基金资助 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-31页 |
| ·文献综述 | 第13-29页 |
| ·引言 | 第13页 |
| ·GaN基材料的研究历史与现状 | 第13-19页 |
| ·GaN基材料的特性 | 第19-22页 |
| ·衬底材料的选择 | 第22-24页 |
| ·GaN基材料的生长技术 | 第24-26页 |
| ·GaN基材料的器件应用 | 第26-28页 |
| ·GaN的发展前景 | 第28-29页 |
| ·论文的选题依据及意义 | 第29-31页 |
| 第二章 RHEED原位监测的ECR-PEMOCVD低温生长技术及装置 | 第31-51页 |
| ·常规生长方法的比较 | 第31-32页 |
| ·ECR等离子体技术 | 第32-33页 |
| ·腔耦合磁多极ECR等离子体的产生原理和特点 | 第32-33页 |
| ·ECR等离子体应用 | 第33页 |
| ·本实验室腔耦合磁多极ECR源的结构和特点 | 第33-35页 |
| ·第一代ECR-PEMOCVD系统(ESPD) | 第35-36页 |
| ·配备RHEED的第二代ECR-PEMOCVD系统(ESPD-U) | 第36-42页 |
| ·腔耦合磁多极ECR等离子体源特性 | 第42-50页 |
| ·等离子体的参数测量与特性研究 | 第43-46页 |
| ·等离子体发射光谱研究 | 第46-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第三章 RHEED原位监测与GaN基薄膜生长中的表面晶体结构演变 | 第51-65页 |
| ·RHEED原理及应用 | 第51-54页 |
| ·电子衍射原理 | 第51-52页 |
| ·RHEED的应用 | 第52-53页 |
| ·本实验室的RHEED装置及实验条件 | 第53-54页 |
| ·GaN基薄膜生长中的表面晶体结构演变 | 第54-63页 |
| ·RHEED条纹间距的直接测量与分析 | 第55-56页 |
| ·RHEED条纹间距的间接测量与分析 | 第56-57页 |
| ·外延表面匹配位向的分析 | 第57-58页 |
| ·外延表面的晶格常数计算与应变状态分析 | 第58-61页 |
| ·RHEED衍射图像的晶面指数标定 | 第61-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 第四章 在异质衬底上外延GaN基薄膜中的初始生长研究 | 第65-86页 |
| ·衬底的常规化学清洗 | 第65-66页 |
| ·MOCVD生长技术中常用源的选择及其性质 | 第66-70页 |
| ·Ⅲ族源 | 第66-67页 |
| ·Ⅴ族源 | 第67-68页 |
| ·MO源的饱和蒸汽压与温度的关系-Ⅴ／Ⅲ的计算 | 第68-70页 |
| ·衬底预处理条件对立方GaN／GaAs(001)外延层质量的影响 | 第70-78页 |
| ·氢等离子体放电清洗 | 第70-71页 |
| ·氮化 | 第71-75页 |
| ·缓冲层 | 第75-78页 |
| ·六方GaN／Si(001)薄膜的初始生长研究 | 第78-80页 |
| ·Si衬底的氢等离子体原位清洗 | 第78页 |
| ·GaN缓冲层的生长 | 第78-79页 |
| ·GaN外延层的生长 | 第79-80页 |
| ·α-Al_2O_3衬底的清洗及其对氮化和缓冲层质量的影响 | 第80-85页 |
| ·α-Al_2O_3衬底的纯氢等离子体清洗 | 第81-82页 |
| ·α-Al_2O_3衬底的氢氮混合等离子体清洗 | 第82-84页 |
| ·α-Al_2O_3衬底的氮化对缓冲层质量的影响 | 第84-85页 |
| ·本章小结 | 第85-86页 |
| 第五章 在GaAs，Si，α-Al_2O_3衬底上低温生长GaN，AlN | 第86-99页 |
| ·立方GaN／GaAs(001)薄膜生长工艺和测试结果 | 第86-89页 |
| ·生长工艺 | 第86页 |
| ·测试结果与分析 | 第86-89页 |
| ·六方GaN／Si(001)薄膜的直接生长 | 第89-91页 |
| ·六方GaN／α-Al_2O_3(0001)薄膜的低温生长 | 第91-93页 |
| ·GaN缓冲层 | 第91-92页 |
| ·GaN外延层 | 第92-93页 |
| ·AlN／α-Al_2O_3(0001)薄膜的低温生长 | 第93-97页 |
| ·AlN缓冲层及AlN外延膜的生长 | 第94-95页 |
| ·在GaN缓冲层上生长AlN单晶薄膜 | 第95-97页 |
| ·本章小结 | 第97-99页 |
| 第六章 结论 | 第99-102页 |
| 参考文献 | 第102-116页 |
| 创新点摘要 | 第116-117页 |
| 攻读博士期间发明专利及发表论文 | 第117-119页 |
| 附录 | 第119-137页 |
| 致谢 | 第137-139页 |
