摘要 | 第1-9页 |
ABSTRACT | 第9-11页 |
第一章 综述 | 第11-27页 |
·实体瘤中的低氧区 | 第11-15页 |
·产生低氧区的原因 | 第11-12页 |
·低氧区对放射疗法的影响 | 第12页 |
·抗肿瘤药物在低氧实体瘤中存在的问题 | 第12-13页 |
·低氧细胞还原能力增强 | 第13页 |
·克服低氧采取的方法 | 第13-15页 |
·低氧选择性药物 | 第15-19页 |
·低氧选择性药物的发展 | 第15页 |
·低氧选择性药物的设计思路 | 第15-16页 |
·低氧选择性药物设计的要求 | 第16-17页 |
·发展中的新型低氧选择性抗癌药物-Co(Ⅲ)的氮芥络合物 | 第17-19页 |
·选择性药物的发展趋向和展望 | 第19-21页 |
·本文的研究思路 | 第21-22页 |
参考文献: | 第22-27页 |
第二章 配体的合成和结构表征 | 第27-38页 |
·实验所需试剂及仪器 | 第27-28页 |
·实验所用仪器: | 第27页 |
·实验涉及的主要试剂: | 第27-28页 |
·辅助配体的合成 | 第28-29页 |
·3-甲基2,4-戊二酮(Meacac)的合成路线 | 第28页 |
·3-乙基2,4-戊二酮(Etacac)的合成 | 第28-29页 |
·3-烯丙基2,4-戊二酮(Alacac)的合成 | 第29页 |
·3,4-二乙酰基2,5-2二酮(TAT)的合成 | 第29页 |
·辅助配体的结构表征 | 第29-33页 |
·辅助配体的元素分析结果 | 第29-30页 |
·辅助配体的红外光谱 | 第30页 |
·3,4-二乙酰基2,5-已二酮的晶体结构测定 | 第30-33页 |
·活性配体的合成 | 第33-34页 |
·双-二氯乙基胺盐酸盐(BCA.HCI)的合成 | 第33页 |
·双-三氯乙基胺盐酸盐(TCA.HCI)的合成 | 第33-34页 |
·双-二溴乙基胺氢溴酸盐(BBA.HBr)的合成 | 第34页 |
·二-β-氯乙基草酰胺的合成 | 第34页 |
·活性配体的结构表征 | 第34-37页 |
·活性配体的熔点测试 | 第34-35页 |
·活性配体的元素分析 | 第35页 |
·活性配体的红外光谱 | 第35-37页 |
参考文献: | 第37-38页 |
第三章 三价钴络合物的合成和表征 | 第38-52页 |
·实验所需试剂及仪器 | 第38-39页 |
·实验所用仪器: | 第38页 |
·实验涉及的主要试剂: | 第38-39页 |
·三价钴配合物的合成 | 第39-41页 |
·Na[co(acac)_2(NO_2)_2].O.5H_2O①的合成 | 第39页 |
·Na[co(Meacac)_2(NO_2)_2].O.5H_2O②的合成 | 第39页 |
·Na[Co(Etacac)_2(NO_2)_2].O.5H_2O③的合成 | 第39页 |
·Co(acac)_2NO_2BBA④的合成 | 第39-40页 |
·Co(Meacac)_2NO_2BBA⑤的合成 | 第40页 |
·Co(Etacac)_2NO_2BBA⑥的合成 | 第40页 |
·[Co(acac)_2(NO_2)_2]CI.3H_2O⑦的合成 | 第40页 |
·[Co(Meacac)_2(NO_2)_2]CI.3H_2O⑧的合成 | 第40-41页 |
·[Co(Etacac)_2(NO_2)_2]CI.3H_2O⑨的合成 | 第41页 |
·三价钴配合物的结构表征 | 第41-48页 |
·三价钴配合物的元素分析结果 | 第41-42页 |
·三价钴配合物的红外光谱 | 第42页 |
·[Co(acac)_2(NO_2)_2]CI.3H_2O的晶体结构测定 | 第42-43页 |
·晶体的结构分析 | 第43-48页 |
参考文献: | 第48-52页 |
第四章 络合物的电化学性质 | 第52-58页 |
·实验所需试剂及仪器 | 第52页 |
·仪器与试剂 | 第52页 |
·实验方法 | 第52页 |
·线性扫描极谱法 | 第52-54页 |
·极谱图 | 第52-54页 |
·波峰数据 | 第54页 |
·循环伏安法 | 第54-57页 |
·循环伏安图 | 第55-56页 |
·结论 | 第56-57页 |
参考文献: | 第57-58页 |
第五章 络合物的抗肿瘤活性评估 | 第58-65页 |
·引言 | 第58页 |
·实验所需试剂及仪器 | 第58-60页 |
·实验所用仪器: | 第58-59页 |
·所用试剂: | 第59页 |
·溶液的配制 | 第59-60页 |
·实验设计与具体步骤 | 第60-64页 |
·实验步骤 | 第60页 |
·反应条件的研究 | 第60-64页 |
参考文献: | 第64-65页 |
致谢 | 第65-66页 |
STATEMENT | 第66-67页 |