| 第一章 绪论 | 第1-10页 |
| ·开发光控SiC功率器件的意义 | 第7-8页 |
| ·实现光控SiC器件的方法 | 第8页 |
| ·本文的主要内容 | 第8-10页 |
| 第二章 SiCGe材料特性的理论分析 | 第10-16页 |
| ·SiCGe晶格常数与禁带宽度的计算 | 第10-12页 |
| ·SiCGe的晶格常数的计算 | 第10-11页 |
| ·SiCGe的禁带宽度的计算 | 第11-12页 |
| ·SiCGe吸收系数的估算 | 第12-16页 |
| 第三章 SiGeC／SiC光电二极管光电特性的计算机模拟 | 第16-32页 |
| ·MEDICI程序简介 | 第16-19页 |
| ·MEDICI的功能简介 | 第16页 |
| ·MEDICI的主要语句 | 第16-19页 |
| ·SiCGe／SiC光电二极管的模拟 | 第19-32页 |
| ·p-n~+SiCGe／SiC异质结的器件结构 | 第19-20页 |
| ·p-n~+SiCGe／SiC异质结光电二极管的模拟 | 第20-32页 |
| 第四章 SiC-Darlington器件的计算机模拟 | 第32-44页 |
| ·SiC-Darlington的器件结构 | 第32-34页 |
| ·SiC-Darlington的掺杂浓度分布 | 第34-36页 |
| ·SiC-Darlington器件的电学特性 | 第36-42页 |
| ·Vce为100V器件的电学特性 | 第36-40页 |
| ·Vce值不同器件的电学特性比较 | 第40-42页 |
| ·SiC-Darlington计算机模拟的结论 | 第42-44页 |
| 第五章 光控SiC-Darlington器件结构的讨论 | 第44-52页 |
| ·前人的光控SiC-Darlington器件结构 | 第44-45页 |
| ·光控SiC-Darlington的器件新结构的设想 | 第45-52页 |
| ·光控SiC-Darlington工艺的讨论 | 第46-48页 |
| ·进一步改进光控SiC-Darlington器件结构 | 第48-52页 |
| 第六章 结论 | 第52-53页 |
| ·结论 | 第52页 |
| ·今后工作的设想 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
| 在校期间发表的论文 | 第57页 |
