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10.26 MeV中子引起51V的次级中子双微分截面测量

中文摘要第1-6页
英文摘要第6-7页
第一章 引言第7-14页
   ·微分截面第7-10页
   ·测量的意义第10-11页
   ·测量的困难第11-14页
第二章 8-13 MeV能区次级中子双微分截面的测量方法第14-18页
   ·LANL方法第14页
   ·PTB方法第14-15页
   ·CIAE方法第15-18页
第三章 实验方法第18-26页
   ·中子源第18-20页
   ·常规多探测器快中子飞行时间谱仪第20-21页
   ·非常规多探测器快中子飞行时间谱仪第21页
   ·探测器第21-24页
   ·电子学第24-25页
   ·计算机在线数据获取系统第25-26页
第四章 实验数据获取和分析第26-42页
   ·实验过程和数据获取第26-28页
   ·实验数据的离线分析第28-29页
   ·数据处理第29-42页
     ·纯效应谱的获得第30-31页
     ·γ峰位的确定第31页
     ·Monte-Carlo模拟计算程序STREUER第31-33页
     ·输入数据第33-36页
     ·模拟迭代过程第36-42页
第五章 测量结果和讨论第42-54页
   ·微分截面结果第43-45页
   ·双微分截面结果第45-51页
   ·数据的不确定度来源分析第51页
   ·能量分辨率和角分辨第51-53页
   ·总结第53-54页
参考文献第54-56页
附录第56-78页
致谢第78页

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