碲锌镉单晶体的生长及其性能测定
| 中英文摘要 | 第1-8页 |
| 1 引言 | 第8-22页 |
| ·元素半导体材料的发展 | 第8-10页 |
| ·化合物半导体材料的发展 | 第10-14页 |
| ·三元化合物半导体室温探测器材料碲锌镉单晶体 | 第14-18页 |
| ·碲锌镉单晶体的生长难点 | 第18-20页 |
| ·碲锌镉单晶体的生长方法 | 第20-22页 |
| 2 本论文的选题思想和研究方案、目标 | 第22-24页 |
| ·选题思想 | 第22-23页 |
| ·研究方案 | 第23-24页 |
| ·本研究所要达到的目标 | 第24页 |
| 3 碲锌镉单晶体的生长 | 第24-33页 |
| ·B-S法生长化合物单晶体的原理 | 第24页 |
| ·碲锌镉单晶体的生长设备 | 第24-26页 |
| ·碲锌镉单晶体的生长工艺 | 第26-30页 |
| ·碲锌镉单晶体的退火 | 第30-33页 |
| 4 碲锌镉单晶体性能测试和表征 | 第33-46页 |
| ·X射线衍射分析 | 第33-37页 |
| ·电学性能测试 | 第37-38页 |
| ·SEM蚀坑分析 | 第38-40页 |
| ·红外及可见光吸收谱 | 第40-44页 |
| ·PAT(正电子湮没寿命谱)缺陷分析 | 第44-46页 |
| 5 碲锌镉单晶体探测器的试制 | 第46-50页 |
| ·碲锌镉单晶体的定向 | 第46-47页 |
| ·表面处理 | 第47-49页 |
| ·探测器的试制 | 第49-50页 |
| 6 主要结论和对进一步工作的建议 | 第50-54页 |
| ·主要结论 | 第50-51页 |
| ·尚待解决的问题和对进一步工作的建议 | 第51-54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56页 |
