摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-11页 |
第1章 绪论 | 第11-22页 |
·铝合金以及镁合金的性质及发展前景 | 第11页 |
·常规铝合金、镁合金表面处理方法 | 第11-12页 |
·铬酸盐钝化技术 | 第11页 |
·磷酸盐转化膜技术 | 第11-12页 |
·阳极氧化技术 | 第12页 |
·其他表面处理技术 | 第12页 |
·新型金属表面防腐处理技术—硅烷化处理技术 | 第12-20页 |
·硅烷化处理技术简介 | 第12-14页 |
·硅烷的防腐蚀机理 | 第14-15页 |
·硅烷化处理技术的研究进展 | 第15-17页 |
·影响硅烷沉积的因素 | 第17-20页 |
·金属基体前处理 | 第17-18页 |
·硅烷溶剂的选择 | 第18页 |
·pH 值得影响 | 第18-19页 |
·硅烷成膜的固化温度和时间 | 第19-20页 |
·本论文的主要研究内容和创新工作 | 第20-22页 |
·本课题研究的主要内容 | 第20-21页 |
·铝合金表面低电位电化学辅助沉积 | 第20页 |
·镁合金表面硅烷膜层的化学改性 | 第20-21页 |
·本课题研究的研究意义 | 第21-22页 |
第2章 铝合金表面硅烷低电位电化学辅助沉积 | 第22-35页 |
·实验部分 | 第22-23页 |
·实验药品 | 第22页 |
·实验仪器及设备 | 第22页 |
·实验方法 | 第22-23页 |
·铝合金电极的制备 | 第22-23页 |
·硅烷溶液的配制以及膜层的制备 | 第23页 |
·硅烷膜极化曲线测量 | 第23页 |
·硅烷膜交流阻抗曲线测量 | 第23页 |
·扫描电镜 | 第23页 |
·实验结果与讨论 | 第23-34页 |
·交流阻抗 EIS 测试 | 第23-30页 |
·四硫化物硅烷空白溶液中低电位制备硅烷膜的EIS 图 | 第24-26页 |
·改性四硫化物硅烷溶液中低电位制备硅烷膜的EIS 图 | 第26-27页 |
·高电位和低电位条件下所制备的膜层抗腐蚀比较 | 第27-29页 |
·硅烷膜层等效电路以及各元件参数的拟合 | 第29-30页 |
·硅烷膜层的动电位极化曲线分析 | 第30-32页 |
·改性前后不同膜层的SEM 图 | 第32-34页 |
·结论 | 第34-35页 |
第3章 表面活性剂对硅烷电化学辅助沉积的影响 | 第35-46页 |
·实验部分 | 第35-36页 |
·实验药品 | 第35页 |
·实验仪器及设备 | 第35页 |
·实验方法 | 第35-36页 |
·硅烷溶液的配制以及膜层的制备 | 第35-36页 |
·硅烷膜极化曲线测量 | 第36页 |
·硅烷膜交流阻抗曲线测量 | 第36页 |
·实验结果与讨论 | 第36-45页 |
·交流阻抗 EIS 测试 | 第36-42页 |
·不同浓度表面活性剂改性硅烷溶液后制备膜层的EIS 图 | 第36-38页 |
·在不同浓度表面活性剂改性条件下制备膜层的低频阻抗值 | 第38-39页 |
·在不同浓度表面活性剂改性条件下制备膜层的特征频率 | 第39-41页 |
·硅烷膜层等效电路以及各元件参数的拟合 | 第41-42页 |
·硅烷膜层的动电位极化曲线分析 | 第42页 |
·极化曲线研究表面活性剂在硅烷电化学辅助沉积过程中的作用机理 | 第42-45页 |
·结论 | 第45-46页 |
第4章 镁合金表面硅烷膜层的化学改性 | 第46-57页 |
·实验部分 | 第46-48页 |
·实验药品 | 第46页 |
·实验仪器 | 第46页 |
·实验方法 | 第46-48页 |
·电极准备 | 第46-47页 |
·不同浓度硅烷溶液的配制 | 第47页 |
·镁合金电极表面硅烷膜层的制备 | 第47页 |
·含添加剂B 的硅烷溶液的配制 | 第47页 |
·含添加剂B 的硅烷膜层制备 | 第47页 |
·硅烷膜极化曲线测量 | 第47页 |
·硅烷膜交流阻抗曲线测量 | 第47页 |
·红外光谱法 | 第47-48页 |
·实验结果与讨论 | 第48-56页 |
·交流阻抗EIS 测试 | 第48-53页 |
·不同硅烷浓度制备膜层的EIS 图 | 第48-49页 |
·硅烷溶液中加入添加剂B 所制备膜层的EIS 图 | 第49-51页 |
·改性前后硅烷膜层的等效电路以及各元件参数的拟合 | 第51-53页 |
·改性前后硅烷膜层覆盖镁合金电极的动电位极化曲线分析 | 第53页 |
·红外光谱检测改性前后膜层化学结构 | 第53-55页 |
·添加剂B 对膜层的改性机理分析 | 第55-56页 |
·结论 | 第56-57页 |
总结论 | 第57-58页 |
参考文献 | 第58-61页 |
附录A 攻读学位期间所发表的学术论文目录 | 第61-62页 |
致谢 | 第62页 |