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半导体激光器的注入锁定研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-8页
第一章 绪论第8-14页
 §1.1 半导体激光器的发展历史第8-9页
 §1.2 注入锁定的发展历史第9-14页
第二章 半导体激光器注入锁定研究机理第14-19页
 §2.1 外腔式锁定第14-15页
 §2.2 主从式锁定第15-19页
第三章 半导体激光器注入锁定实验第19-36页
 §3.1 注入锁定实验装置第19-23页
 §3.2 饱和吸收稳频第23-24页
 §3.3 注入锁定实现过程第24-26页
 §3.4 注入锁定实验结果及讨论第26-33页
  §3.4.1 注入光功率在从激光器锁定建立过程中的作用第26-29页
  §3.4.2 温度在从激光器锁定建立过程中的作用第29-30页
  §3.4.3 从激光器驱动电流在从激光器锁定建立过程中的作用第30-33页
  §3.4.4 主从激光器偏振态在从激光器锁定建立过程中的作用第33页
 §3.5 注入锁定技术在冷原子的应用第33-35页
 小结第35-36页
第四章 半导体激光器中的混沌现象第36-49页
 §4.1 混沌的定义第36-37页
 §4.2 常见动力学现象第37-39页
 §4.3 通向混沌的途径第39-41页
  §4.3.1 倍周期分岔途径第39-40页
  §4.3.2 通过阵发性通向混沌的切分岔途径第40-41页
  §4.3.3 准周期运动通向混沌的途径第41页
 §4.4 激光器中的混沌第41-43页
  §4.4.1 激光器不稳定性第41-42页
  §4.4.2 激光混沌的分类第42-43页
 §4.5 单模半导体激光器的混沌模型第43-46页
 §4.6 讨论第46-49页
结束语第49-50页
参考文献第50-57页
攻读硕士期间发表文章第57-58页
致谢第58-59页

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