闪烁晶体钨酸镉的坩埚下降法生长的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-11页 |
| 引言 | 第11-12页 |
| 1 绪论 | 第12-20页 |
| ·闪烁晶体概述 | 第12-15页 |
| ·闪烁晶体的应用 | 第12页 |
| ·闪烁晶体的性能 | 第12-14页 |
| ·几种重要的闪烁晶体 | 第14-15页 |
| ·CWO 单晶的研究现状 | 第15-18页 |
| ·晶体结构 | 第15-16页 |
| ·发光机理研究 | 第16页 |
| ·晶体闪烁性能 | 第16页 |
| ·晶体的生长方法研究 | 第16-18页 |
| ·本文研究方案 | 第18-20页 |
| ·总体思路 | 第18页 |
| ·研究主要内容 | 第18页 |
| ·实验技术路线 | 第18-20页 |
| 2 CWO 单晶的坩埚下降法生长 | 第20-36页 |
| ·原料制备 | 第20-22页 |
| ·引言 | 第20页 |
| ·实验过程 | 第20-21页 |
| ·结果分析 | 第21-22页 |
| ·CWO 单晶坩埚下降法生长用设备 | 第22-24页 |
| ·结晶炉 | 第23页 |
| ·支撑与下降机构 | 第23-24页 |
| ·测控温系统 | 第24页 |
| ·坩埚材料的选择与制作 | 第24-27页 |
| ·坩埚材料的选择 | 第24-25页 |
| ·坩埚制作 | 第25-27页 |
| ·晶体生长 | 第27-30页 |
| ·自发成核生长 | 第28页 |
| ·接种生长 | 第28页 |
| ·生长出的晶体 | 第28-30页 |
| ·晶体生长的影响因素 | 第30-35页 |
| ·接种 | 第30-31页 |
| ·温场 | 第31-32页 |
| ·温场波动 | 第32-33页 |
| ·炉温控制 | 第33-34页 |
| ·下降速度 | 第34-35页 |
| ·生长工艺参数总结 | 第35页 |
| ·小结 | 第35-36页 |
| 3 维持熔体成分恒定的生长工艺探索 | 第36-43页 |
| ·坩埚半封闭的晶体生长实验 | 第36-40页 |
| ·引言 | 第36页 |
| ·生长实验 | 第36-37页 |
| ·结果分析 | 第37-40页 |
| ·富CdO 的晶体生长实验 | 第40-41页 |
| ·引言 | 第40页 |
| ·生长实验 | 第40页 |
| ·结果分析 | 第40-41页 |
| ·坩埚密闭的晶体生长实验 | 第41-42页 |
| ·引言 | 第41页 |
| ·生长实验 | 第41-42页 |
| ·结果分析 | 第42页 |
| ·小结 | 第42-43页 |
| 4 CWO 单晶的缺陷 | 第43-52页 |
| ·晶体的解理 | 第43-44页 |
| ·晶体开裂 | 第44-46页 |
| ·开裂的形态 | 第44页 |
| ·晶体开裂的原因分析 | 第44-45页 |
| ·避免晶体开裂的措施 | 第45-46页 |
| ·富CdO 的生长工艺中晶体内芯的研究 | 第46-49页 |
| ·芯的形态 | 第46-47页 |
| ·芯的成分分析 | 第47-49页 |
| ·芯的形成机理分析 | 第49页 |
| ·密闭生长的晶体中的光散射点 | 第49-51页 |
| ·密闭生长的晶体中形成光散射点的可能原因 | 第49-50页 |
| ·光散射点的消除 | 第50-51页 |
| ·小结 | 第51-52页 |
| 5 晶体退火消色实验 | 第52-55页 |
| ·引言 | 第52页 |
| ·实验 | 第52-53页 |
| ·结果与分析 | 第53页 |
| ·小结 | 第53-55页 |
| 6 晶体光学均匀性研究 | 第55-61页 |
| ·非密闭生长的晶体光学均匀性研究 | 第55-58页 |
| ·引言 | 第55页 |
| ·实验 | 第55-56页 |
| ·结果与分析 | 第56-58页 |
| ·密闭生长的晶体光学均匀性研究 | 第58-60页 |
| ·引言 | 第58页 |
| ·实验 | 第58页 |
| ·结果与分析 | 第58-60页 |
| ·小结 | 第60-61页 |
| 7 晶体表征 | 第61-66页 |
| ·热分析 | 第61页 |
| ·XRD 分析 | 第61-63页 |
| ·摇摆曲线 | 第63页 |
| ·光学透过率 | 第63页 |
| ·光致发光 | 第63-65页 |
| ·X 射线激发发光 | 第65页 |
| ·小结 | 第65-66页 |
| 8 结论 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 在学研究成果 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
