准二维铜周期薄膜电化学沉积及其线阵列湿刻制备
| 提要 | 第1-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-23页 |
| ·纳米结构和纳米材料 | 第8-16页 |
| ·纳米材料的内涵和研究范围 | 第10-12页 |
| ·纳米材料和纳米结构材料的特性 | 第12-16页 |
| ·纳米材料的制备 | 第16-17页 |
| ·纳米材料的结构表征 | 第17-19页 |
| ·纳米材料的热点领域及应用 | 第19-22页 |
| ·本论文选题意义及研究内容 | 第22-23页 |
| 第二章 实验设备与方法 | 第23-27页 |
| ·制备铜纳米结构材料的设备与方法 | 第23-25页 |
| ·主要实验设备 | 第23-24页 |
| ·实验方法 | 第24-25页 |
| ·制备铜纳米线的方法 | 第25-27页 |
| ·实验方法 | 第26页 |
| ·刻蚀液的优点 | 第26-27页 |
| 第三章 形貌表征及成份分析 | 第27-44页 |
| ·铜纳米结构材料的SEM 表征 | 第27-32页 |
| ·单频段生长结果表征 | 第28-32页 |
| ·铜纳米线阵列的SEM 表征 | 第32-34页 |
| ·对两种结构的AFM 表征 | 第34-37页 |
| ·铜纳米结构的AFM | 第34-36页 |
| ·铜纳米线阵列的AFM | 第36-37页 |
| ·对两种结构的XRD,XPS,TEM 表征 | 第37-43页 |
| ·铜纳米结构的XRD，XPS 和TEM 分析 | 第37-41页 |
| ·铜纳米线阵列的XPS 和TEM 分析 | 第41-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 两种结构生长机制的研究 | 第44-52页 |
| ·铜纳米结构的生长机制 | 第44-48页 |
| ·铜纳米结构材料生长基本原理 | 第44-46页 |
| ·影响铜纳米结构材料生长的因素 | 第46-48页 |
| ·铜纳米线阵列的制备机制 | 第48-52页 |
| ·铜纳米线阵列的生长基本原理 | 第48-49页 |
| ·影响铜纳米线阵列的制备因素 | 第49-52页 |
| 第五章 两种结构的电学性质测试与分析 | 第52-56页 |
| ·铜纳米结构材料的I-V 特性 | 第52-54页 |
| ·铜纳米线阵列的I-V 特性 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第六章 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
| 摘要 | 第62-64页 |
| ABSTRACT | 第64-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
