| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-29页 |
| 第一节 GaN材料的基本性质和研究进展 | 第10-14页 |
| 第二节 GaN纳米结构的生长方法 | 第14-22页 |
| 第三节 Ga_2O_3材料的基本性质和研究进展 | 第22-25页 |
| 第四节 Ga_2O_3纳米结构的生长方法 | 第25-27页 |
| 第五节 本论文的选题依据 | 第27-29页 |
| 第二章 实验设备和测试表征方法 | 第29-35页 |
| 第一节 实验设备介绍 | 第29-32页 |
| 第二节 样品的测试和表征技术 | 第32-35页 |
| 第三章 磁控溅射Ga_2O_3/Mo膜反应自组装一维GaN纳米结构的研究 | 第35-53页 |
| 第一节 一维GaN纳米结构的制备 | 第35-37页 |
| 第二节 氨化温度对合成一维GaN纳米结构的影响 | 第37-46页 |
| 第三节 氨化时间对合成一维GaN纳米结构的影响 | 第46-51页 |
| 第四节 一维GaN纳米结构的生长机制的探索 | 第51-53页 |
| 第四章 一维Ga_2O_3纳米结构的研究 | 第53-64页 |
| 第一节 退火温度对合成一维Ga_2O_3纳米结构的影响 | 第53-57页 |
| 第二节 退火时间对合成一维Ga_2O_3纳米结构的影响 | 第57-62页 |
| 第三节 一维Ga_2O_3纳米结构的生长机制的探索 | 第62-64页 |
| 第五章 结论 | 第64-67页 |
| 参考文献 | 第67-77页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文目录 | 第77-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
