| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 文献综述 | 第8-26页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·修饰电极的发展 | 第8-9页 |
| ·修饰电极的制备及类型 | 第9-15页 |
| ·修饰电极的预处理 | 第9-10页 |
| ·修饰电极的制备及分类 | 第10-15页 |
| ·修饰电极的表征 | 第15-16页 |
| ·电化学表征方法 | 第15-16页 |
| ·光谱法 | 第16页 |
| ·显微镜法 | 第16页 |
| ·修饰电极的应用 | 第16-17页 |
| ·本论文的主要工作 | 第17页 |
| ·参考文献 | 第17-26页 |
| 第二章 L-半胱氨酸修饰金电极测定铜离子的电化学研究 | 第26-38页 |
| ·引言 | 第26页 |
| ·实验部分 | 第26-28页 |
| ·仪器和试剂 | 第26-27页 |
| ·L-半胱氨酸修饰金(L-Cys/Au)电极的制备方法 | 第27-28页 |
| ·结果与讨论 | 第28-34页 |
| ·L-Cys/Au电极在K_3[Fe(CN)_6]+K_4[FeCN)_6]l溶液中的电化学表征 | 第28-29页 |
| ·cu~(2+)离子在L-Cys/Au电极上的电化学伏安特性 | 第29-30页 |
| ·实验条件的选择和优化 | 第30-33页 |
| ·实验测定线性范围和检测限 | 第33-34页 |
| ·L-Cys/Au电极测定Cu~(2+)离子时干扰离子的影响 | 第34页 |
| ·L-Cys/Au修饰电极的重复性和稳定性 | 第34页 |
| ·实验小结 | 第34页 |
| ·参考文献 | 第34-38页 |
| 第三章 L-谷氨酸/铁氰根修饰玻碳电极测定铜离子的研究 | 第38-48页 |
| ·前言 | 第38页 |
| ·实验部分 | 第38-40页 |
| ·主要化学试剂和实验仪器设备 | 第38-39页 |
| ·L-谷氨酸/铁抓根修饰玻碳电极的制备 | 第39-40页 |
| ·实验方法 | 第40页 |
| ·结果与讨论 | 第40-46页 |
| ·L-谷氨酸/铁氰根修饰玻碳电极的电化学表征 | 第40-41页 |
| ·cu~(2+)离子在L-谷氨酸/铁氰根修饰玻碳电极上的电化学伏安特性 | 第41-42页 |
| ·L-谷氨酸/铁氰根修饰玻碳电极制备条件的选择和优化 | 第42-43页 |
| ·铜离子测定条件的选择 | 第43-45页 |
| ·测定Cu~(2+)离子的线性范围和检测限 | 第45页 |
| ·测定Cu~(2+)离子的抗干扰影响能力研究 | 第45页 |
| ·测定Cu~(2+)离子的的重现性和稳定性 | 第45-46页 |
| ·实验小结 | 第46页 |
| ·参考文献 | 第46-48页 |
| 第四章 抗坏血酸在聚L-谷氨酸修饰玻碳电极上的电化学行为研究 | 第48-58页 |
| ·引言 | 第48页 |
| ·实验部分 | 第48-50页 |
| ·实验仪器设备和化学试剂 | 第48-49页 |
| ·聚L-谷氨酸修饰玻碳电极的制备 | 第49-50页 |
| ·实验方法 | 第50页 |
| ·结果与讨论 | 第50-55页 |
| ·Poly(L-Glu)/GC电极在K_3[Fe(CN)_4]溶液中的电化学特征 | 第50-51页 |
| ·抗坏血酸在Poly(L-Glu)/GC电极上的电化学伏安特性 | 第51-52页 |
| ·制备Poly(L-Glu)/GC电极的条件优化 | 第52-53页 |
| ·抗坏血酸测定条件的选择和优化 | 第53-54页 |
| ·线性范围和检测限 | 第54页 |
| ·修饰电极的稳定性 | 第54-55页 |
| ·干扰实验 | 第55页 |
| ·结论 | 第55页 |
| ·参考文献 | 第55-58页 |
| 致谢 | 第58-60页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第60页 |
