| 内容提要 | 第1-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-10页 |
| ·引言 | 第7-9页 |
| ·本工作的主要内容 | 第9-10页 |
| 第二章 GaAs半导体中自旋电子学的基础理论 | 第10-30页 |
| ·GaAs半导体的能带结构 | 第10-13页 |
| ·三种自旋弛豫机制 | 第13-17页 |
| ·自旋极化的产生 | 第17-21页 |
| ·光学方法产生自旋极化 | 第18-20页 |
| ·电学方法产生自旋极化 | 第20-21页 |
| ·自旋极化的探测 | 第21-23页 |
| ·光学探测方法 | 第21-22页 |
| ·电学测量方法 | 第22-23页 |
| ·自旋扩散/输运 | 第23-24页 |
| ·样品的描述 | 第24-30页 |
| 第三章 实验装置的建设 | 第30-38页 |
| ·引言 | 第30页 |
| ·实验光路图 | 第30-31页 |
| ·瞬态光栅的产生和探测 | 第31-37页 |
| ·瞬态自旋光栅和瞬态浓度光栅的产生 | 第31-33页 |
| ·瞬态光栅信号的探测 | 第33-37页 |
| ·结论 | 第37-38页 |
| 第四章 GaAs/AlGaAs量子阱中自旋输运的研究 | 第38-47页 |
| ·引言 | 第38页 |
| ·实验样品制备 | 第38-39页 |
| ·实验结果及分析 | 第39-46页 |
| ·结论 | 第46-47页 |
| 第五章 总结 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-53页 |
| 研究生期间发表论文 | 第53-54页 |
| 中文摘要 | 第54-56页 |
| Abstract | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58页 |