磁控溅射法制备Al掺杂ZnO（AZO）薄膜工艺及其电性能研究
| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-22页 |
| ·透明导电薄膜概述 | 第11-12页 |
| ·AZO薄膜的晶体结构和性质 | 第12-14页 |
| ·AZO薄膜的晶体结构 | 第12-13页 |
| ·AZO薄膜的基本性质 | 第13-14页 |
| ·AZO薄膜的制备方法 | 第14-16页 |
| ·溅射法 | 第14页 |
| ·溶胶凝胶法(Sol-gel) | 第14-15页 |
| ·真空蒸发法 | 第15页 |
| ·脉冲激光沉积法 | 第15页 |
| ·金属有机物化学气相沉积(MOCVD) | 第15-16页 |
| ·分子束外延技术法 | 第16页 |
| ·喷雾热解法 | 第16页 |
| ·AZO薄膜的应用 | 第16-18页 |
| ·AZO薄膜用于透明电极 | 第16-17页 |
| ·AZO薄膜用于热镜 | 第17页 |
| ·AZO薄膜用于电磁屏蔽 | 第17页 |
| ·AZO薄膜用于气敏传感器 | 第17页 |
| ·AZO薄膜用于GaN的缓冲层 | 第17-18页 |
| ·AZO薄膜在其他领域的应用 | 第18页 |
| ·AZO薄膜的研究现状 | 第18-21页 |
| ·本文的研究内容 | 第21-22页 |
| 第2章 磁控溅射介绍 | 第22-28页 |
| ·磁控溅射法的发展历程 | 第22页 |
| ·磁控溅射法镀膜原理 | 第22-25页 |
| ·磁控溅射法制备薄膜的特点 | 第25-26页 |
| ·本研究用的磁控溅射装置概述 | 第26-28页 |
| ·基本结构与组成 | 第26-27页 |
| ·薄膜制备注意事项 | 第27-28页 |
| 第3章 实验设计及测试手段 | 第28-34页 |
| ·实验所需要的原料 | 第28页 |
| ·薄膜样品的溅射制备过程 | 第28-29页 |
| ·薄膜的测试于段 | 第29-34页 |
| ·X射线衍射仪(XRD) | 第29-30页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第30-31页 |
| ·台阶仪法测试厚度 | 第31-32页 |
| ·霍尔测试法 | 第32-34页 |
| 第4章 实验分析与讨论 | 第34-53页 |
| ·引言 | 第34-36页 |
| ·衬底温度对制备AZO薄膜各个方面的影响 | 第36-41页 |
| ·衬底温度对AZO薄膜结构的影响 | 第37-38页 |
| ·衬底温度对AZO薄膜表面形貌的影响 | 第38-39页 |
| ·衬底温度对AZO薄膜厚度的影响 | 第39-40页 |
| ·衬底温度对AZO薄膜的电学性能的影响 | 第40-41页 |
| 本节小结 | 第41页 |
| ·气体压强对制备AZO薄膜各个方面的影响 | 第41-47页 |
| ·气体压强对AZO薄膜晶体结构的影响 | 第42-43页 |
| ·气体压强对AZO薄膜的表面形貌的影响 | 第43页 |
| ·气体压强对AZO薄膜的厚度的影响 | 第43-45页 |
| ·气体压强对AZO薄膜的电学性能的影响 | 第45-46页 |
| 本节小结 | 第46-47页 |
| ·溅射时间对制备AZO薄膜各个方面的影响 | 第47-53页 |
| ·溅射时间对AZO薄膜结构的影响 | 第47-48页 |
| ·溅射时间对AZO薄膜表面形貌的影响 | 第48页 |
| ·溅射时间对AZO薄膜厚度的影响 | 第48-51页 |
| ·溅射时间对AZO薄膜电学性能的影响 | 第51-52页 |
| 本节小结 | 第52-53页 |
| 结论 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-61页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及科研成果 | 第61页 |
