硫系化合物相变存储材料结构与性能研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-31页 |
| ·硫系化合物相变材料概述 | 第12-23页 |
| ·相变存储材料 | 第13-14页 |
| ·相变存储原理 | 第14-16页 |
| ·国内外研究现状 | 第16-22页 |
| ·实现高优储存单元的方法 | 第22-23页 |
| ·纳米材料 | 第23-26页 |
| ·纳米材料的基本概念 | 第23-24页 |
| ·纳米材料的物理化学特性 | 第24-26页 |
| ·几种硫系化合物的制备方法 | 第26-30页 |
| ·硫系化合物纳米材料的制备方法 | 第26-29页 |
| ·硫系化合物块体材料的制备方法 | 第29-30页 |
| ·本课题的研究目的和内容 | 第30-31页 |
| 第二章 实验设备 | 第31-34页 |
| ·实验试剂和设备 | 第31页 |
| ·实验试剂 | 第31页 |
| ·实验设备 | 第31页 |
| ·材料的表征 | 第31-34页 |
| 第三章 Sb_2S_3纳米材料的制备及表征 | 第34-44页 |
| ·原料 | 第34页 |
| ·材料制备 | 第34-35页 |
| ·材料的表征 | 第35-39页 |
| ·样品的成分分析 | 第35页 |
| ·样品的结构分析 | 第35-36页 |
| ·样品的形貌分析 | 第36-39页 |
| ·Sb_2S_3纳米棒生长机理探讨 | 第39-41页 |
| ·Sb_2S_3纳米棒的性能分析 | 第41-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 Sb_2Se_3纳米材料的制备及表征 | 第44-54页 |
| ·原料 | 第44页 |
| ·材料制备 | 第44-45页 |
| ·材料的表征 | 第45-48页 |
| ·样品的成份分析 | 第45页 |
| ·样品的结构分析 | 第45-47页 |
| ·样品的形貌分析 | 第47-48页 |
| ·Sb_2Se_3纳米棒生长机理探讨 | 第48-51页 |
| ·反应温度 | 第49-50页 |
| ·保温时间 | 第50页 |
| ·溶液酸碱度 | 第50-51页 |
| ·表面活性剂 | 第51页 |
| ·Sb_2Se_3纳米棒的性能分析 | 第51-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 GeBiTe系列块体材料的制备及表征 | 第54-64页 |
| ·原料 | 第54页 |
| ·材料制备 | 第54-55页 |
| ·材料的表征 | 第55-60页 |
| ·样品的成分分析 | 第55-56页 |
| ·样品的结构表征 | 第56-58页 |
| ·样品的形貌分析 | 第58-60页 |
| ·GeBiTe系列块体材料的性能分析 | 第60-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第六章 结论与展望 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
| 在读期间发表的论文 | 第72页 |
