| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-28页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·电致变色器件的结构与特征 | 第9-11页 |
| ·透明导电层（TC层） | 第9-10页 |
| ·电致变色层（EC层） | 第10页 |
| ·电解质层（EL层） | 第10-11页 |
| ·离子储存层（IS层） | 第11页 |
| ·电致变色材料 | 第11-16页 |
| ·无机电致变色材料 | 第12-15页 |
| ·有机电致变色材料 | 第15-16页 |
| ·三氧化钨（WO_3 ）电致变色薄膜的制备方法 | 第16-21页 |
| ·物理法 | 第16-18页 |
| ·化学法 | 第18-21页 |
| ·电致变色机理 | 第21-23页 |
| ·色心模型 | 第21页 |
| ·小极化子模型 | 第21页 |
| ·自由载流子模型 | 第21-22页 |
| ·价间电荷迁移模型 | 第22-23页 |
| ·WO_3 电致变色材料的发展趋势 | 第23-24页 |
| ·制备纳米结构的WO_3 | 第23-24页 |
| ·掺杂其他材料 | 第24页 |
| ·阴阳极材料互补 | 第24页 |
| ·WO_3 电致变色材料的应用前景 | 第24-26页 |
| ·商业显示器件 | 第24-25页 |
| ·电致变色智能窗 | 第25页 |
| ·电致变色贮存器件 | 第25页 |
| ·无眩反光镜 | 第25-26页 |
| ·本论文的研究内容与意义 | 第26-28页 |
| 第二章 溶胶-凝胶法制备WO_3 薄膜 | 第28-36页 |
| ·前驱体制备工艺选择 | 第28-31页 |
| ·溶胶组分的选择 | 第29-30页 |
| ·反应温度和时间的选择 | 第30-31页 |
| ·WO_3 电致变色薄膜的制备 | 第31-34页 |
| ·实验用化学试剂与仪器 | 第31-32页 |
| ·WO_3 前驱体溶胶的配制 | 第32-33页 |
| ·基底预处理和WO_3 薄膜的制备 | 第33页 |
| ·WO_3 薄膜样品的结构表征与性能测试 | 第33-34页 |
| ·TiO_2 掺杂WO 3 电致变色薄膜的制备 | 第34-36页 |
| ·实验用化学试剂与仪器 | 第34-35页 |
| ·TiO_2 -WO 3 前驱体溶胶的配置 | 第35-36页 |
| 第三章 WO_3 薄膜的结构和电致变色性能分析 | 第36-51页 |
| ·热处理对WO_3 薄膜的结构和电致变色性能的影响 | 第36-42页 |
| ·热处理对WO_3 薄膜结构的影响 | 第36-37页 |
| ·热处理对WO_3 薄膜形貌的影响 | 第37-38页 |
| ·热处理对WO_3 薄膜变色光性能的影响 | 第38-40页 |
| ·WO_3 薄膜的变色效果图 | 第40-41页 |
| ·热处理温度对WO_3 薄膜的电化学性能的影响 | 第41-42页 |
| ·PEG含量对WO_3 薄膜的结构与性能的影响 | 第42-49页 |
| ·PEG含量对WO_3 前驱体溶胶稳定性和成膜性的影响 | 第42-44页 |
| ·PEG含量对WO_3 薄膜结构的影响 | 第44页 |
| ·PEG含量对WO_3 薄膜表面形貌的影响 | 第44-46页 |
| ·PEG对WO_3 薄膜变色光性能的影响 | 第46-48页 |
| ·PEG对WO_3 电化学性能的影响 | 第48-49页 |
| 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 TiO_2 掺杂WO 3 薄膜的结构和电致变色性能分析 | 第51-61页 |
| ·热处理对TiO_2 -WO 3 薄膜的结构的影响 | 第51-52页 |
| ·热处理对TiO_2 -WO 3 薄膜结构的影响 | 第51页 |
| ·不同退火温度下TiO_2 -WO 3 薄膜的SEM分析 | 第51-52页 |
| ·TiO_2 含量对WO 3 薄膜的结构和电致变色性能的影响 | 第52-59页 |
| ·TiO_2 含量对WO 3 前驱体溶胶稳定性和成膜性的影响 | 第52-53页 |
| ·TiO_2 含量对WO 3 薄膜结构的影响 | 第53-54页 |
| ·TiO_2 含量对WO 3 薄膜表面形貌的影响 | 第54-55页 |
| ·TiO_2 掺杂对WO 3 薄膜着色褪色可见光透射光谱的影响 | 第55-57页 |
| ·TiO_2 掺杂对WO 3 薄膜的变色效果图 | 第57-58页 |
| ·TiO_2 掺杂对WO 3 薄膜电化学性能的影响 | 第58-59页 |
| 本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 全文结论 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-69页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
