| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-37页 |
| ·纳米压印技术及其在纳米加工领域的地位 | 第11-12页 |
| ·纳米压印技术的原理及工艺 | 第12-17页 |
| ·热压印（HEL） | 第12-13页 |
| ·紫外压印（UV-NIL） | 第13-15页 |
| ·微接触压印（μCP） | 第15-16页 |
| ·三种压印工艺的比较 | 第16-17页 |
| ·纳米压印关键工艺技术 | 第17-22页 |
| ·模板制备技术 | 第17-18页 |
| ·高精度的压印制程条件 | 第18-19页 |
| ·纳米压印技术复型的尺寸效应 | 第19-22页 |
| ·纳米压印技术的应用 | 第22-24页 |
| ·纳电子器件 | 第22页 |
| ·数据存储器 | 第22-23页 |
| ·亚波长表面光学器件 | 第23页 |
| ·生物芯片和微流体器件 | 第23-24页 |
| ·光子晶体特性及制备技术 | 第24-27页 |
| ·光子晶体的特性 | 第24-25页 |
| ·光子晶体的制备 | 第25-27页 |
| ·光子晶体的应用 | 第27-31页 |
| ·光子晶体与光学器件 | 第27-28页 |
| ·平面光子晶体在提高LED 光抽取效率中的应用 | 第28-31页 |
| ·本论文的研究内容及研究意义 | 第31-33页 |
| ·本论文的研究内容 | 第31页 |
| ·本论文研究工作的研究意义及应用前景 | 第31-33页 |
| 参考文献 | 第33-37页 |
| 第二章 紫外纳米压印平面光子晶体模板制备技术研究 | 第37-56页 |
| ·引言 | 第37-38页 |
| ·紫外纳米压印模板材料及性能评价 | 第38-40页 |
| ·电子束光刻制备纳米压印模板 | 第40-44页 |
| ·利用湿法腐蚀工艺制备纳米结构紫外压印模版 | 第44-54页 |
| ·模板的制备过程 | 第46-50页 |
| ·模板的性能评价 | 第50-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-56页 |
| 第三章 ZnO 量子点复合的 UV-NIL 光刻胶制备及光学特性研究 | 第56-71页 |
| ·引言 | 第56-57页 |
| ·ZnO 量子点复合的 UV-NIL 光刻胶的制备和表征 | 第57-60页 |
| ·ZnO 量子点复合的 UV-NIL 光刻胶光学特性研究 | 第60-65页 |
| ·ZnO 量子点复合的UV-NIL 光刻胶紫外吸收特性 | 第60-61页 |
| ·ZnO 量子点复合的UV-NIL 光刻胶荧光特性 | 第61-64页 |
| ·分析与讨论 | 第64-65页 |
| ·ZnO 量子点复合的 UV-NIL 光刻胶的复型精度 | 第65-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-71页 |
| 第四章 紫外纳米压印技术制造平面光子晶体的关键工艺技术研究 | 第71-96页 |
| ·引言 | 第71页 |
| ·压印模板和基底的清洗工艺 | 第71-74页 |
| ·硅片的清洗 | 第72-73页 |
| ·石英模板的清洗 | 第73-74页 |
| ·压印模版表面的抗粘连处理技术 | 第74-80页 |
| ·纳米压印模版的关键技术参数 | 第74-75页 |
| ·压印模版表面的抗粘连修饰技术 | 第75-76页 |
| ·气相抗粘连修饰技术 | 第76-80页 |
| ·紫外纳米压印技术工艺控制研究 | 第80-91页 |
| ·纳米压印光刻胶的薄膜制备 | 第80-86页 |
| ·紫外纳米压印过程及工艺控制 | 第86-91页 |
| ·反应离子刻蚀图形转移技术 | 第91-94页 |
| ·本章小结 | 第94-95页 |
| 参考文献 | 第95-96页 |
| 第五章 平面光子晶体结构提高 LED 光抽取效率的理论与设计 | 第96-118页 |
| ·引言 | 第96-97页 |
| ·光子晶体的理论研究与有限时域差分法（FDTD） | 第97-101页 |
| ·Yee 氏网格 | 第98-99页 |
| ·麦克斯韦（Maxwell）旋度方程的差分展开 | 第99-100页 |
| ·FDTD 法的数值稳定分析 | 第100-101页 |
| ·平面光子晶体提高LED 光抽取效率的结构设计 | 第101-116页 |
| ·LED 芯片中光的传播模式 | 第101-102页 |
| ·光子晶体阵列的结构设计 | 第102-112页 |
| ·光子晶体的占空比和高度设计 | 第112-114页 |
| ·光子晶体的周期设计 | 第114-116页 |
| ·本章小结 | 第116-117页 |
| 参考文献 | 第117-118页 |
| 第六章 光抽取效率增强的平面光子晶体 LED 制备技术研究 | 第118-138页 |
| ·引言 | 第118页 |
| ·LED 的制造工艺流程 | 第118-120页 |
| ·纳米压印技术与半导体发光器件制造工艺的兼容性研究 | 第120-128页 |
| ·基于GaN 外延片的光子晶体纳米压印制备技术 | 第122-126页 |
| ·光子晶体LED 芯片的制备 | 第126-127页 |
| ·光子晶体LED 器件封装 | 第127-128页 |
| ·平面光子晶体增强 LED 发光效率的检测与评估 | 第128-132页 |
| ·实验结果分析 | 第132-136页 |
| ·本章小结 | 第136-137页 |
| 参考文献 | 第137-138页 |
| 第七章 结论与展望 | 第138-142页 |
| ·主要研究成果 | 第138-139页 |
| ·本研究工作的创新点 | 第139-140页 |
| ·平面光子晶体对提高LED发光效率的前景展望 | 第140-141页 |
| ·纳米压印技术在构筑功能表面纳米结构领域的前景展望 | 第141页 |
| 参考文献 | 第141-142页 |
| 发表的文章及专利 | 第142-145页 |
| 致谢 | 第145-148页 |
