Co/ITO薄膜体系中自旋相关输运效应研究

摘要	第1-7页
Abstract	第7-9页
第一章 绪论	第9-19页
·自旋电子学简介及研究进展	第9-14页
·巨磁电阻(GMR)	第9-12页
·隧道磁电阻(TMR)	第12-13页
·半导体自旋电子学	第13-14页
·自旋相关输运的基本概念	第14-17页
·自旋极化、自旋极化率	第14-15页
·自旋相关散射	第15-16页
·自旋弛豫(Spin Relaxation)	第16页
·自旋注入与自旋积累效应	第16-17页
·本论文研究的目的和意义	第17-19页
第二章 纳米薄膜的制备及表征	第19-29页
·薄膜的制备技术及原理	第19-23页
·磁控溅射原理	第20-21页
·射频溅射原理	第21-22页
·脉冲激光沉积	第22-23页
·分子束外延技术	第23页
·样品的表征技术	第23-29页
·纳米样品厚度的测量	第23-24页
·薄膜样品表面形貌的表征	第24-27页
·薄膜样品的的磁性表征	第27-28页
·薄膜样品的电输运性质表征	第28-29页
第三章 Co/IT0多层薄膜制备与性质研究	第29-38页
·样品的制备与测量	第29页
·实验结果与分析	第29-37页
·磁学和电学性质	第29-33页
·磁电阻随温度的变化	第33-37页
·本章小结	第37-38页
参考文献	第38-40页
致谢	第40-41页
硕士期间论文发表情况	第41页