| 摘要 | 第3-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第9-11页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3 研究内容与目标 | 第12-13页 |
| 第二章 SRAM的工作原理 | 第13-19页 |
| 2.1 存储器的整体结构 | 第13页 |
| 2.2 SRAM位单元的工作原理 | 第13-19页 |
| 2.2.1 六管SRAM位单元的读取操作 | 第14-15页 |
| 2.2.2 六管SRAM位单元的写入操作 | 第15-16页 |
| 2.2.3 六管SRAM位单元存储的稳定性 | 第16-19页 |
| 第三章 SRAM位单元静态漏电流的工艺优化的技术研究 | 第19-27页 |
| 3.1 SRAM位单元静态漏电流的组成及其传统的工艺优化方法 | 第19-23页 |
| 3.1.1 亚阈值漏电流的形成机制以及优化方法 | 第20-21页 |
| 3.1.2 带到带漏电流的形成机制及优化方法 | 第21-22页 |
| 3.1.3 栅极漏电流的形成机制及优化方法 | 第22-23页 |
| 3.2 SRAM静态漏电流工艺优化的改进、相关理论的分析及评估 | 第23-26页 |
| 3.3 本章小结 | 第26-27页 |
| 第四章 SRAM静态漏电流的优化流程 | 第27-34页 |
| 4.1 实验对照组的设计 | 第27-29页 |
| 4.2 SRAM位单元各性能参数以及静态漏电流的测试 | 第29-34页 |
| 第五章 HALO离子注入对SRAM静态漏电流及其各性能参数的影响 | 第34-48页 |
| 5.1 阻止铟原子的注入对SRAM静态漏电流以及各性能参数的影响 | 第34-40页 |
| 5.1.1 实验1的结果 | 第34-36页 |
| 5.1.2 实验1的结果分析 | 第36-40页 |
| 5.1.3 小结 | 第40页 |
| 5.2 硼注入能量对SRAM静态漏电流及其各性能参数的影响 | 第40-43页 |
| 5.2.1 实验2的结果 | 第40-41页 |
| 5.2.2 实验2的结果分析 | 第41-43页 |
| 5.2.3 小结 | 第43页 |
| 5.3 硼注入剂量对SRAM静态漏电流及其各性能参数的影响 | 第43-46页 |
| 5.3.1 实验3结果 | 第44-45页 |
| 5.3.2 实验3结果分析 | 第45-46页 |
| 5.3.3 小结 | 第46页 |
| 5.4 优化后的halo结构形成条件的确立 | 第46-48页 |
| 第六章 结论与展望 | 第48-50页 |
| 6.1 结论 | 第48页 |
| 6.2 展望 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第54-56页 |
