| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 非挥发性阻变存储器(RRAM)的基本概念 | 第9-12页 |
| 1.1.1 非挥发性阻变存储器(RRAM)的基本工作机制 | 第10-11页 |
| 1.1.2 非挥发性阻变存储器(RRAM)的特性参数 | 第11-12页 |
| 1.2 非易失性阻变存储器(RRAM)的电阻转变机制 | 第12-16页 |
| 1.2.1 离子型阻变 | 第12-13页 |
| 1.2.2 电子型阻变 | 第13-16页 |
| 1.3 电子型双极性TiO_x基阻变器件的研究与发展 | 第16页 |
| 1.4 插层对阻变器件的影响 | 第16-17页 |
| 1.5 研究内容及研究意义 | 第17-19页 |
| 第二章 薄膜制备技术与表征技术 | 第19-23页 |
| 2.1 薄膜沉积设备 | 第19-20页 |
| 2.1.1 高真空电子束蒸发设备—沉积Al电极 | 第19-20页 |
| 2.1.2 溅射设备—沉积氧化钛阻变层、金属插层 | 第20页 |
| 2.2 薄膜特性表征设备 | 第20-23页 |
| 2.2.3 溅射设备—沉积氧化钛阻变层、金属插层 | 第20-21页 |
| 2.2.4 多模式扫描探针显微镜 | 第21页 |
| 2.2.5 X射线光电子能谱分析 | 第21-22页 |
| 2.2.6 电学特性测试仪器 | 第22-23页 |
| 第三章 TiO_x薄膜厚度对ATA结构电子型器件阻变特性的影响 | 第23-31页 |
| 3.1 不同阻变层厚度对阻变特性的影响 | 第23-25页 |
| 3.2 TiO_x薄膜的表征测试 | 第25-27页 |
| 3.3 机制机制分析及模型建立 | 第27-29页 |
| 3.4 本章小结 | 第29-31页 |
| 第四章 不同金属插层对ATA结构阻变器件的性能影响 | 第31-40页 |
| 4.1 未插层的Al/TiO_x/Al结构阻变器件的性能 | 第31-32页 |
| 4.2 Al金属插层的Al/Al/TiO_x/Al结构阻变器件的性能 | 第32-33页 |
| 4.3 Ti金属插层的Al/Ti/TiO_x/Al结构阻变器件的性能 | 第33-35页 |
| 4.4 V金属插层的Al/Ti/TiO_x/Al结构阻变器件的性能 | 第35-36页 |
| 4.5 金属插层对ATA结构阻变存储器的Rentention性能影响 | 第36-38页 |
| 4.6 本章小结 | 第38-40页 |
| 第五章 Al、Ti金属插层对ATA结构阻变器件的机制研究 | 第40-47页 |
| 5.1 未插层器件与金属插层器件的拟合分析 | 第40-41页 |
| 5.2 Al/Al(1nm)/TiO_x/Al结构器件的阻变机制 | 第41-42页 |
| 5.3 Al/Ti(10nm)/TiO_x/Al结构器件的阻变机制 | 第42-46页 |
| 5.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 第六章 总结与展望 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-52页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53页 |
