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氧化亚铜的制备及其异质结光电、光电化学器件的研究

摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第一章 引言第14-18页
第二章 文献综述第18-38页
    2.1 氧化亚铜的基本性质第18-21页
        2.1.1 晶体结构第18页
        2.1.2 物理化学性质第18-19页
        2.1.3 半导体性质第19-21页
        2.1.4 光学性质第21页
    2.2 氧化亚铜的制备方法第21-25页
        2.2.1 液相法第21-22页
        2.2.2 固相法第22-23页
        2.2.3 气相法第23-25页
    2.3 氧化亚铜的应用及研究进展第25-35页
        2.3.1 传统应用第25页
        2.3.2 其它新型应用第25-26页
        2.3.3 薄膜太阳能电池第26-29页
        2.3.4 光电化学水解产氢第29-35页
    2.4 本文选题背景和研究内容第35-38页
第三章 实验及测试方法第38-50页
    3.1 化学试剂第38-39页
    3.2 实验仪器第39页
    3.3 材料制备方法第39-44页
        3.3.1 脉冲激光沉积第39-41页
        3.3.2 磁控溅射第41-42页
        3.3.3 电化学沉积第42-43页
        3.3.4 热氧化第43-44页
        3.3.5 原子层沉积第44页
        3.3.6 电子束蒸发第44页
    3.4 材料表征方法第44-46页
        3.4.1 物相表征方法第44-45页
        3.4.2 形貌表征方法第45页
        3.4.3 光学性质表征方法第45页
        3.4.4 电学性质表征方法第45页
        3.4.5 元素价态及半导体能带位置表征方法第45-46页
        3.4.6 电化学表征方法第46页
    3.5 器件制备方法第46-48页
        3.5.1 太阳能电池制备方法第46-47页
        3.5.2 光阴极制备方法第47-48页
    3.6 器件性能测试第48-50页
        3.6.1 太阳能电池表征方法第48-49页
        3.6.2 光阴极水解产氢表征方法第49-50页
第四章 氧化亚铜材料的制备与表征第50-64页
    4.1 脉冲激光沉积法第50-53页
        4.1.1 实验方法第50页
        4.1.2 沉积氧分压对Cu_2O薄膜晶体质量的影响第50-53页
    4.2 磁控溅射法第53-58页
        4.2.1 实验方法第53页
        4.2.2 氧分压对材料的影响第53-54页
        4.2.3 沉积温度对材料的影响第54-56页
        4.2.4 氮掺杂氧化亚铜的制备第56-58页
    4.3 电化学沉积法第58-61页
        4.3.1 恒电位法第58-60页
        4.3.2 恒电流法第60-61页
    4.4 热氧化法第61-62页
        4.4.1 实验方法第61页
        4.4.2 晶体结构及表面形貌第61页
        4.4.3 电学性质第61-62页
    4.5 本章小结第62-64页
第五章 氧化亚铜氧化锌异质结太阳能电池的研究第64-80页
    5.1 太阳能电池的制备过程第64-67页
        5.1.1 衬底清洗第64-65页
        5.1.2 底电极制备第65页
        5.1.3 氧化亚铜的制备第65-66页
        5.1.4 n型氧化锌层的制备第66页
        5.1.5 顶电极的制备第66-67页
    5.2 太阳能电池的材料表征第67-71页
        5.2.1 表面形貌第67页
        5.2.2 晶体结构第67-69页
        5.2.3 元素分析第69页
        5.2.4 硫掺杂氧化锌的性质研究第69-71页
    5.3 太阳能电池的性能表征第71-74页
        5.3.1 沉积ZnOS时氧分压对太能电池的影响第71-72页
        5.3.2 ZnOS薄膜厚度对太阳能性能的影响第72页
        5.3.3 沉积温度对太阳能电池性能的影响第72-73页
        5.3.4 ZnOS缓冲层与ZnO缓冲层太阳能电池的比较第73-74页
    5.4 讨论与分析第74-79页
        5.4.1 暗电流分析第74-75页
        5.4.2 异质结能带分析第75-79页
    5.5 本章小结第79-80页
第六章 氧化亚铜光阴极的研究第80-96页
    6.1 光阴极的制备过程第80-82页
        6.1.1 衬底清洗第80-81页
        6.1.2 底电极制备第81页
        6.1.3 电沉积氧化亚铜层的制备第81页
        6.1.4 PLD制备缓冲层及n型层第81页
        6.1.5 器件封装及助催化剂沉积第81-82页
    6.2 光阴极的材料表征第82-86页
        6.2.1 表面形貌及晶体结构第82-83页
        6.2.2 TEM及EDS元素分析第83-85页
        6.2.3 氧化亚铜层的平带电位第85-86页
    6.3 光阴极的性能表征第86-90页
        6.3.1 不同氧化亚铜厚度第86-87页
        6.3.2 不同的二氧化钛厚度和生长温度第87-88页
        6.3.3 不同的氧化镓生长氧分压对光电性能的影响第88-89页
        6.3.4 光电转化效率第89-90页
    6.4 讨论与分析第90-95页
        6.4.1 氧化镓缓冲层的表征第90页
        6.4.2 氧化亚铜氧化镓异质结能带结构第90-94页
        6.4.3 氧化亚铜氧化镓界面元素分析第94-95页
    6.5 本章小结第95-96页
第七章 氧化亚铜串联光阴极器件的研究第96-116页
    7.1 串联氧化亚铜光阴极的制备过程第96-99页
        7.1.1 热氧化氧化亚铜光阴极第96-97页
        7.1.2 电化学沉积透明氧化亚铜光阴极第97-99页
    7.2 热氧化法氧化亚铜光电极的性能表征与分析第99-106页
        7.2.1 材料表征第99-100页
        7.2.2 氧化亚铜厚度对光阴极性能的影响第100-103页
        7.2.3 光电流响应行为研究第103-106页
    7.3 氧化亚铜串联双光阴极的研究第106-113页
        7.3.1 透明电化学沉积氧化铜光阴极第108-109页
        7.3.2 透明电化学沉积氧化亚铜光阴极的性能表征第109-111页
        7.3.3 氧化亚铜串联双光阴极的性能优化第111-113页
    7.4 本章小结第113-116页
第八章 结论与展望第116-120页
    8.1 全文总结第116-117页
    8.2 主要创新点第117-118页
    8.3 未来工作展望第118-120页
参考文献第120-134页
致谢第134-136页
个人简历第136-138页
攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果第138-139页

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