| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第8-21页 |
| 1.1 二维单硫族化合物简介 | 第8-9页 |
| 1.2 二维GeSe的实验制备 | 第9-11页 |
| 1.3 单层GeSe的研究进展 | 第11-15页 |
| 1.4 有毒气体吸附在二维纳米材料的研究进展 | 第15-19页 |
| 1.5 本文的主要研究内容 | 第19-21页 |
| 第2章 理论基础和计算方法 | 第21-27页 |
| 2.1 第一性原理简介 | 第21页 |
| 2.2 密度泛函理论简介 | 第21-24页 |
| 2.3 范德瓦尔斯相互作用 | 第24-25页 |
| 2.4 功函数的计算方法 | 第25-27页 |
| 第3章 单层点缺陷或掺杂硒化锗吸附有毒气体的研究 | 第27-49页 |
| 3.1 引言 | 第27-28页 |
| 3.2 计算方法及模型 | 第28-30页 |
| 3.3 单层GeSe的相关验证性研究 | 第30-32页 |
| 3.4 点缺陷的单层GeSe吸附有毒气体分子的研究 | 第32-36页 |
| 3.5 Ge/Se原子反位掺杂的单层GeSe吸附有毒气体分子的研究 | 第36-40页 |
| 3.6 P原子掺杂的单层GeSe吸附有毒气体分子的研究 | 第40-45页 |
| 3.7 功函数的相关研究 | 第45-47页 |
| 3.8 小结 | 第47-49页 |
| 第4章 总结与展望 | 第49-51页 |
| 4.1 总结 | 第49-50页 |
| 4.2 展望 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文及科研成果 | 第59页 |
