| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 第1章 绪论 | 第8-26页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 光电探测器 | 第8-13页 |
| 1.2.1 光电探测器工作原理 | 第8-9页 |
| 1.2.2 光电探测器的分类及研究状况 | 第9-13页 |
| 1.3 纳米材料与表征方法 | 第13-14页 |
| 1.3.1 纳米材料 | 第13页 |
| 1.3.2 表征方法 | 第13-14页 |
| 1.4 Cu_2O纳米材料 | 第14-22页 |
| 1.4.1 Cu_2O纳米材料的制备 | 第14-18页 |
| 1.4.2 Cu_2O纳米材料在光探测器方面的研究状况 | 第18-22页 |
| 1.5 有机/无机复合材料的光电应用 | 第22-24页 |
| 1.5.1 有机/无机复合光电器件的结构及工作原理 | 第22-23页 |
| 1.5.2 有机/无机复合光电器件的研究状况 | 第23-24页 |
| 1.6 本论文研究内容 | 第24-26页 |
| 第2章 Cu_2O纳米材料的制备与表征 | 第26-41页 |
| 2.1 Cu_2O纳米颗粒的制备与表征 | 第26-34页 |
| 2.1.1 实验试剂与实验仪器 | 第26-27页 |
| 2.1.2 Cu_2O纳米颗粒的制备 | 第27-28页 |
| 2.1.3 Cu_2O纳米颗粒的表征 | 第28-30页 |
| 2.1.4 Cu_2O纳米颗粒合成条件的调控 | 第30-33页 |
| 2.1.5 小结 | 第33-34页 |
| 2.2 Cu_2O纳米线的制备与表征 | 第34-41页 |
| 2.2.1 实验试剂与实验仪器 | 第34页 |
| 2.2.2 Cu_2O纳米线的制备 | 第34-35页 |
| 2.2.3 Cu_2O纳米线的表征 | 第35-38页 |
| 2.2.4 Cu_2O纳米线合成条件的调控 | 第38-40页 |
| 2.2.5 小结 | 第40-41页 |
| 第3章 多聚-L-赖氨酸对Cu_2O基异质结器件性能的影响 | 第41-52页 |
| 3.1 多聚-L-赖氨酸对Cu_2O/ITO异质结器件性能的影响 | 第41-45页 |
| 3.1.1 Cu_2O/ITO异质结器件的制备 | 第41页 |
| 3.1.2 Cu_2O/ITO异质结器件性能测试 | 第41-42页 |
| 3.1.3 多聚-L-赖氨酸复合的Cu_2O/ITO异质结器件性能测试 | 第42-45页 |
| 3.2 多聚-L-赖氨酸对Cu_2O/Si异质结器件性能的影响 | 第45-52页 |
| 3.2.1 Cu_2O/Si异质结器件的制备 | 第45-46页 |
| 3.2.2 Cu_2O/Si异质结器件的表征和性能测试 | 第46-49页 |
| 3.2.3 多聚-L-赖氨酸复合的Cu_2O/Si异质结器件性能测试 | 第49-52页 |
| 第4章 Cu_2O/Si异质结器件对湿度的响应 | 第52-56页 |
| 4.1 Cu_2O/Si异质结器件的表征和性能测试 | 第52-53页 |
| 4.2 Cu_2O/Si异质结器件对湿度的响应 | 第53-56页 |
| 第5章 总结和展望 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-64页 |
| 攻读硕士期间获得的科研成果 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
