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基于含缺陷石墨烯的纳机电谐振器分子动力学分析

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
符号对照表第12-13页
缩略语对照表第13-16页
第一章 绪论第16-30页
    1.1 石墨烯简介和基本性质第16-19页
        1.1.1 石墨烯简介第16页
        1.1.2 石墨烯的力学性质第16-17页
        1.1.3 石墨烯的电学性质第17-18页
        1.1.4 石墨烯的热学性质第18-19页
    1.2 石墨烯纳机电谐振器研究进展第19-24页
        1.2.1 纳机电谐振器简介第19-20页
        1.2.2 石墨烯纳谐振器的研究现状第20-24页
    1.3 石墨烯中常见缺陷的研究现状第24-27页
        1.3.1 空位缺陷第24-25页
        1.3.2 拓扑缺陷第25页
        1.3.3 吸附原子缺陷第25-26页
        1.3.4 晶界和位错第26-27页
    1.4 研究的目的和意义第27页
    1.5 本文主要研究内容第27-30页
第二章 分子动力学模拟方法第30-34页
    2.1 分子动力学基本原理第30-32页
    2.2 分子动力学模拟的基本过程和物理量第32-33页
    2.3 本文所用分子动力学软件介绍第33页
    2.4 本章小结第33-34页
第三章 石墨烯谐振器结构设计第34-48页
    3.1 石墨烯纳机电谐振器理论分析第34-37页
        3.1.1 石墨烯谐振器的工作原理第34-35页
        3.1.2 静电力驱动下双端固支石墨烯谐振器理论分析第35-37页
    3.2 静电力驱动下双端固支石墨烯谐振器运动仿真第37-47页
        3.2.1 石墨烯谐振器结构与参数设计第37-40页
        3.2.2 石墨烯分子动力学分析第40-47页
    3.3 本章小结第47-48页
第四章 含缺陷石墨烯谐振梁的分子动力学分析第48-86页
    4.1 引言第48页
    4.2 空位缺陷对石墨烯纳米带谐振性能的影响第48-62页
        4.2.1 空位缺陷的位置对石墨烯谐振性能的影响第48-58页
        4.2.2 单原子空位缺陷的浓度对石墨烯谐振频率的影响第58-62页
    4.3 原子吸附对石墨烯纳米带谐振性能的影响第62-74页
        4.3.1 吸附原子的质量对石墨烯谐振频率的影响第62-66页
        4.3.2 吸附原子的位置对石墨烯谐振性能的影响第66-70页
        4.3.3 吸附原子的浓度对石墨烯谐振性能的影响第70-74页
    4.4 晶界和位错对石墨烯纳米带谐振性能的影响第74-81页
        4.4.1 含5-5-8位错晶界的纳米带模型第74-78页
        4.4.2 线缺陷的数目对石墨烯谐振频率的影响第78-81页
    4.5 外力对双层石墨烯谐振频率的影响第81-85页
    4.6 本章小结第85-86页
第五章 总结与展望第86-88页
    5.1 总结第86-87页
    5.2 不足与展望第87-88页
参考文献第88-92页
致谢第92-94页
作者简介第94-95页

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