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机电控制装置在强电磁辐射作用下敏感性分析

摘要第4-5页
ABSTRACT第5-6页
符号对照表第11-13页
缩略语对照表第13-16页
第一章 绪论第16-20页
    1.1 研究背景与意义第16-17页
    1.2 国内外研究现状第17-18页
        1.2.1 国外研究现状第17-18页
        1.2.2 国内研究现状第18页
    1.3 研究内容第18-20页
第二章 机电控制装置的组成及耦合路径分析第20-36页
    2.1 机电控制装置的组成及敏感机理第20-27页
        2.1.1 概述第20-21页
        2.1.2 伺服系统第21-25页
        2.1.3 开关电源第25-27页
    2.2 耦合路径分析第27-29页
    2.3 建立电磁拓扑第29-35页
    2.4 本章小结第35-36页
第三章 不同环境下机电控制装置的敏感威胁等级分析第36-64页
    3.1 机电控制装置的发射源第36页
    3.2 PWM电磁发射特性分析第36-44页
        3.2.1 PWM产生机理第36-38页
        3.2.2 PWM谐波分析第38-44页
    3.3 MOSFET开关管的电磁发射特性第44-50页
        3.3.1 开关管电磁发射回路第44-46页
        3.3.2 发射回路电磁特性第46-50页
    3.4 电机的电磁发射特性第50-59页
        3.4.1 同步电机发射特性第50-56页
        3.4.2 异步电机发射特性第56-59页
    3.5 机电控制装置对不同强电磁脉冲敏感度第59-62页
    3.6 本章小结第62-64页
第四章 机电控制装置的敏感机理分析及仿真第64-86页
    4.1 强电磁脉冲线缆耦合电流计算第64-70页
    4.2 驱动开关管敏感机理第70-80页
        4.2.1 开关管工作原理及相关模型第70-72页
        4.2.2 第Ⅲ类强脉冲对开关管误触发分析第72-76页
        4.2.3 第Ⅰ类强脉冲对开关管误触发分析第76-80页
    4.3 仿真验证第80-85页
    4.4 本章小结第85-86页
第五章 总结与展望第86-88页
    5.1 论文总结第86-87页
    5.2 工作展望第87-88页
参考文献第88-90页
致谢第90-92页
作者简介第92-93页

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