| 摘要 | 第9-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第12-25页 |
| 1.1 光电探测技术与半导体光电探测器 | 第12-17页 |
| 1.1.1 光电探测器简介 | 第12-13页 |
| 1.1.2 纳米半导体材料光电探测技术研究现状 | 第13-16页 |
| 1.1.3 光电探测器的主要性能指标 | 第16-17页 |
| 1.2 TiO_2纳米材料的研究现状 | 第17-24页 |
| 1.2.1 纳米尺度TiO_2材料的研究概况 | 第17-18页 |
| 1.2.2 TiO_2纳米薄膜和纳米管阵列的制备方法 | 第18-20页 |
| 1.2.3 TiO_2纳米薄膜和纳米管阵列的电学与光学特性 | 第20-21页 |
| 1.2.4 缺陷TiO_2纳米管研究 | 第21-24页 |
| 1.3 论文研究内容与方案 | 第24-25页 |
| 第二章 实验部分 | 第25-31页 |
| 2.1 实验材料与实验设备 | 第25-26页 |
| 2.2 TiO_2纳米管制备与性能表征 | 第26-29页 |
| 2.2.1 TiO_2纳米管阵列表面形貌与微观结构表征 | 第27页 |
| 2.2.2 TiO_2纳米管阵列晶体结构分析 | 第27-28页 |
| 2.2.3 TiO_2纳米管阵列氧空位浓度分析 | 第28页 |
| 2.2.4 TiO_2纳米管阵列紫外可见吸收特性测试 | 第28-29页 |
| 2.3 TiO_2纳米管阵列光电探测器件制备与性能研究 | 第29-31页 |
| 2.3.1 TiO_2光电探测器件制备 | 第29页 |
| 2.3.2 TiO_2光电探测器光电性能测试系统搭建 | 第29-30页 |
| 2.3.3 TiO_2光电探测器紫外光电响应测试 | 第30-31页 |
| 第三章 阳极氧化法TiO_2纳米管制备技术研究 | 第31-41页 |
| 3.1 阳极氧化实验参数对TiO_2纳米管形貌的影响 | 第31-35页 |
| 3.1.1 阳极氧化实验参数设计 | 第31页 |
| 3.1.2 阳极氧化电压对TiO_2纳米管的影响 | 第31-34页 |
| 3.1.3 阳极氧化时间对TiO_2纳米管的影响 | 第34页 |
| 3.1.4 电解液浓度对TiO_2纳米管的影响 | 第34-35页 |
| 3.2 TiO_2纳米管阳极氧化生长机理分析 | 第35-39页 |
| 3.2.1 阳极氧化制备TiO_2纳米管的理论模型 | 第35-38页 |
| 3.2.2 TiO_2纳米管的生长过程分析 | 第38-39页 |
| 3.3 本章小结 | 第39-41页 |
| 第四章 阳极氧化TiO_2纳米管晶体结构与紫外吸收特性研究 | 第41-54页 |
| 4.1 退火处理温度对TiO_2纳米管晶型的影响 | 第41-45页 |
| 4.2 退火温度对TiO_2纳米管氧空位缺陷浓度的影响 | 第45-47页 |
| 4.3 退火温度对TiO_2纳米管紫外-可见吸收特性的影响 | 第47-50页 |
| 4.4 二次阳极氧化工艺对TiO_2纳米管紫外-可见吸收特性影响 | 第50-53页 |
| 4.5 本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 TiO_2纳米管阵列光电探测器制备及性能考察 | 第54-64页 |
| 5.1 TiO_2纳米管阵列光电探测器的制备 | 第54-57页 |
| 5.2 退火处理对TiO_2纳米管阵列光电探测器性能的影响 | 第57-58页 |
| 5.3 TiO_2纳米管阵列光电探测器的性能考察 | 第58-62页 |
| 5.3.1 TiO_2纳米管阵列光电探测器伏安特性IV曲线 | 第58-59页 |
| 5.3.2 TiO_2纳米管阵列光电探测器电流-时间响应测试 | 第59-61页 |
| 5.3.3 TiO_2纳米管阵列光电探测器响应度及光谱响应测试分析 | 第61页 |
| 5.3.4 TiO_2纳米管阵列光电探测器线性度测试分析 | 第61-62页 |
| 5.4 本章结论 | 第62-64页 |
| 结论 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第72页 |
