组分可控的AZO薄膜生长及光学特性研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 AZO概述 | 第9-16页 |
| 1.2.1 AZO结构与性质 | 第9-11页 |
| 1.2.2 AZO的制备方法 | 第11-13页 |
| 1.2.3 AZO的研究进展 | 第13-16页 |
| 1.3 表面等离子体概述 | 第16-20页 |
| 1.3.1 表面等离子体的基本理论 | 第16-18页 |
| 1.3.2 表面等离子体的研究进展 | 第18-20页 |
| 1.4 本文的选题依据及主要研究内容 | 第20-22页 |
| 第二章 AZO薄膜的制备手段与表征手段 | 第22-32页 |
| 2.1 原子层沉积 | 第22-26页 |
| 2.1.1 原子层沉积技术的原理 | 第22-23页 |
| 2.1.2 原子层沉积技术的特点 | 第23-24页 |
| 2.1.3 原子层沉积技术的应用 | 第24-26页 |
| 2.2 样品的表征手段 | 第26-31页 |
| 2.2.1 表面形貌(AFM)表征 | 第26-27页 |
| 2.2.2 紫外可见分光光度计 | 第27-28页 |
| 2.2.3 X射线衍射技术 | 第28-29页 |
| 2.2.4 椭圆偏振光谱仪 | 第29-30页 |
| 2.2.5 电学性质(Hall)测试 | 第30-31页 |
| 2.3 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 AZO薄膜的制备及光学特性表征 | 第32-45页 |
| 3.1 引言 | 第32页 |
| 3.2 AZO薄膜制备 | 第32-35页 |
| 3.2.1 AZO薄膜的实验条件 | 第32-34页 |
| 3.2.2 AZO薄膜的制备过程 | 第34-35页 |
| 3.3 不同掺杂浓度AZO薄膜表征及光学特性研究 | 第35-38页 |
| 3.3.1 AZO薄膜表征 | 第35-37页 |
| 3.3.2 光学性质分析 | 第37-38页 |
| 3.4 不同生长温度AZO薄膜表征及光学特性研究 | 第38-41页 |
| 3.4.1 AZO薄膜表征 | 第38-40页 |
| 3.4.2 光学性质分析 | 第40-41页 |
| 3.5 不同衬底与厚度AZO薄膜表征 | 第41-43页 |
| 3.6 本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 热处理对AZO薄膜性质的影响 | 第45-55页 |
| 4.1 引言 | 第45页 |
| 4.2 不同退火温度对AZO薄膜性质的影响 | 第45-48页 |
| 4.2.1 X射线衍射测试分析 | 第45-46页 |
| 4.2.2 电学性质分析 | 第46-47页 |
| 4.2.3 吸收光谱分析 | 第47-48页 |
| 4.2.4 表面形貌分析 | 第48页 |
| 4.3 不同退火时间对AZO薄膜性质的影响 | 第48-51页 |
| 4.3.1 X射线衍射测试分析 | 第48-49页 |
| 4.3.2 电学性质分析 | 第49-50页 |
| 4.3.3 光学性质分析 | 第50页 |
| 4.3.4 表面形貌分析 | 第50-51页 |
| 4.4 不同退火氛围对AZO薄膜性质的影响 | 第51-53页 |
| 4.4.1 X射线衍射测试分析 | 第51-52页 |
| 4.4.2 电学性质分析 | 第52页 |
| 4.4.3 光学性质分析 | 第52-53页 |
| 4.5 本章小结 | 第53-55页 |
| 结论 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
| 硕士期间论文发表情况 | 第62页 |
