| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 引言 | 第11-19页 |
| 1.1 低维半导体的研究简述 | 第11-13页 |
| 1.2 低维半导体拉曼散射研究 | 第13-19页 |
| 1.2.1 低维半导体拉曼散射实验研究 | 第14页 |
| 1.2.2 拉曼散射理论研究 | 第14-15页 |
| 1.2.3 本文理论研究拉曼散射的方法 | 第15-19页 |
| 第二章 柱形量子点中内建电场对电子参与的拉曼散射的影响 | 第19-30页 |
| 2.1 引言 | 第19页 |
| 2.2 理论模型 | 第19-21页 |
| 2.3 微分散射截面 | 第21-23页 |
| 2.4 结果讨论 | 第23-29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 柱形量子点中内建电场对激子的拉曼散射的影响 | 第30-39页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 理论模型 | 第30-32页 |
| 3.3 微分散射截面 | 第32-33页 |
| 3.4 计算结果与分析 | 第33-37页 |
| 3.5 本章小结 | 第37-39页 |
| 第四章 CdS盘形量子点中激子作为中间态的拉曼散射 | 第39-46页 |
| 4.1 引言 | 第39页 |
| 4.2 理论模型 | 第39-41页 |
| 4.3 微分散射截面 | 第41-42页 |
| 4.4 结果讨论 | 第42-44页 |
| 4.5 本章小结 | 第44-46页 |
| 第五章 总结 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-57页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58页 |
