| 中文摘要 | 第3-6页 |
| 英文摘要 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-17页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 过渡金属硫族化合物的基本性质 | 第12-15页 |
| 1.2.1. 层状材料MX_2(M=Mo,W; X=S,Te)的电子特性 | 第13-15页 |
| 1.3 本文研究内容简介 | 第15-17页 |
| 第二章 密度泛函理论 | 第17-26页 |
| 2.1 第一性原理简介 | 第17-20页 |
| 2.1.1. 多粒子体系的薛定谔方程 | 第17-18页 |
| 2.1.2. 绝热近似 | 第18-19页 |
| 2.1.3. 哈特利-福克(Hartree-Fork)近似 | 第19-20页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第20-26页 |
| 2.2.1. 交换-关联泛函 | 第22-23页 |
| 2.2.2. Kohn-Sham方程的自洽求解 | 第23-24页 |
| 2.2.3. 赝势平面波方法 | 第24-25页 |
| 2.2.4. VASP软件包的简单介绍 | 第25-26页 |
| 第三章 缺陷计算理论 | 第26-32页 |
| 3.1 引言 | 第26-27页 |
| 3.2 半导体掺杂的概念介绍 | 第27-28页 |
| 3.3 缺陷计算理论 | 第28-30页 |
| 3.3.1. 缺陷浓度 | 第28页 |
| 3.3.2. 形成能 | 第28-29页 |
| 3.3.3. 跃迁能级 | 第29-30页 |
| 3.4 掺杂极限定律 | 第30-32页 |
| 第四章 MX_2 (M=Mo,W;X=S,Te)中点缺陷的性质研究 | 第32-45页 |
| 4.1 引言 | 第32页 |
| 4.2 计算方法 | 第32-34页 |
| 4.3 计算结果和讨论 | 第34-44页 |
| 4.3.1. 缺陷形成能 | 第34-37页 |
| 4.3.2. 缺陷离化能级 | 第37-44页 |
| 4.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第五章 单层MoS_2中的点缺陷 | 第45-52页 |
| 5.1 引言 | 第45-46页 |
| 5.2 计算方法 | 第46-47页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第47-51页 |
| 5.3.1. 单层MoS_2和体材料的电子结构 | 第47-48页 |
| 5.3.2. 能带结构 | 第48-49页 |
| 5.3.3. 真空层厚度与超原胞尺寸对缺陷形成能的影响 | 第49-51页 |
| 5.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第六章 结论与展望 | 第52-55页 |
| 参考文献 | 第55-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
