| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-26页 |
| ·概述 | 第9-11页 |
| ·GaN材料的基本性质 | 第11-13页 |
| ·晶体结构和物理性质 | 第11-12页 |
| ·化学性质 | 第12页 |
| ·光学性质 | 第12-13页 |
| ·电学性质 | 第13页 |
| ·InN材料的基本性质 | 第13-16页 |
| ·GaN基材料的生长技术 | 第16-20页 |
| ·衬底材料的选择 | 第16-17页 |
| ·生长方法 | 第17-20页 |
| ·Ⅲ族氮化物的应用 | 第20-25页 |
| ·LED方面的应用 | 第20-22页 |
| ·蓝紫光LD方面的应用 | 第22-23页 |
| ·电子器件方面的应用 | 第23页 |
| ·太阳能电池的应用 | 第23-25页 |
| ·本论文的研究意义和研究内容 | 第25-26页 |
| 2 生长系统和表征方法 | 第26-38页 |
| ·生长系统 | 第26-30页 |
| ·ECR-PEMOCVD技术 | 第26-27页 |
| ·ECR-PEMOCVD生长系统的总体结构和特点 | 第27-30页 |
| ·表征方法 | 第30-38页 |
| ·RHEED | 第30-32页 |
| ·X射线衍射XRD | 第32-33页 |
| ·透射光谱 | 第33-35页 |
| ·原子力显微镜 | 第35页 |
| ·拉曼散射光谱 | 第35-36页 |
| ·霍尔效应 | 第36-38页 |
| 3 ZnO:Al衬底上的GaN薄膜低温生长研究 | 第38-45页 |
| ·玻璃衬底的清洗 | 第38页 |
| ·ZnO:Al薄膜的制备 | 第38页 |
| ·GaN薄膜的制备 | 第38页 |
| ·结果与分析 | 第38-44页 |
| ·沉积温度对GaN薄膜结晶特性的影响 | 第38-41页 |
| ·沉积温度对GaN薄膜表面形貌的影响 | 第41-42页 |
| ·沉积温度对GaN薄膜的光学性能的影响 | 第42-44页 |
| ·小结 | 第44-45页 |
| 4 α-Al_2O_3衬底上InN的生长及特性研究 | 第45-58页 |
| ·InN薄膜的制备工艺 | 第45-46页 |
| ·衬底的化学清洗 | 第45页 |
| ·衬底的等离子体清洗 | 第45页 |
| ·衬底的氮化 | 第45-46页 |
| ·InN薄膜的生长 | 第46页 |
| ·不同沉积温度下InN薄膜的性能分析 | 第46-51页 |
| ·RHEED分析 | 第46-48页 |
| ·XRD分析 | 第48-50页 |
| ·拉曼分析 | 第50-51页 |
| ·霍尔测试分析 | 第51页 |
| ·不同TMIn流量下InN薄膜的性能分析 | 第51-56页 |
| ·RHEED分析 | 第52-53页 |
| ·XRD分析 | 第53-54页 |
| ·拉曼分析 | 第54-55页 |
| ·霍尔测试分析 | 第55-56页 |
| ·小结 | 第56-58页 |
| ·沉积温度对InN薄膜性能的影响 | 第56-57页 |
| ·TMIn流量对InN薄膜性能的影响 | 第57-58页 |
| 结论 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-65页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-68页 |