| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| 1.1 二维材料简介 | 第10-18页 |
| 1.1.1 二维材料的性能及应用 | 第10-16页 |
| 1.1.2 二维材料的设计 | 第16-18页 |
| 1.2 拓扑绝缘体的性质与设计 | 第18-21页 |
| 1.2.1 拓扑绝缘体的性质 | 第18-19页 |
| 1.2.2 二维拓扑绝缘体的研究现状 | 第19-21页 |
| 1.3 本论文的主要研究内容 | 第21页 |
| 1.4 参考文献 | 第21-26页 |
| 第二章 理论基础和计算方法概述 | 第26-37页 |
| 2.1 第一性原理中的两个近似 | 第26-29页 |
| 2.1.1 绝热近似 | 第26-27页 |
| 2.1.2 Hartree-Fock近似 | 第27-29页 |
| 2.2. 密度泛函理论 | 第29-32页 |
| 2.2.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第29-30页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第30-31页 |
| 2.2.3 交换关联泛函 | 第31-32页 |
| 2.2.4 赝势 | 第32页 |
| 2.3 自旋轨道耦合作用 | 第32-33页 |
| 2.4 材料拓扑性质的计算 | 第33-34页 |
| 2.5 相关软件包介绍 | 第34-35页 |
| 2.6 参考文献 | 第35-37页 |
| 第三章 二维MX_4单层材料的自旋轨道耦合效应研究 | 第37-49页 |
| 3.1 引言 | 第37-38页 |
| 3.2 计算方法 | 第38页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第38-45页 |
| 3.3.1 单层MX_4的结构与稳定性研究 | 第38-40页 |
| 3.3.2 单层MX_4(M=Os,Ru; X=S,Se,Te)的电子结构性质 | 第40-41页 |
| 3.3.3 自旋轨道耦合作用对MX_4 (M=Ru,Os;X=S,Se,Te)单层的电子结构的影响 | 第41-45页 |
| 3.4 小结 | 第45-46页 |
| 3.5 参考文献 | 第46-49页 |
| 第四章 RuX_4材料的拓扑性质研究 | 第49-60页 |
| 4.1 引言 | 第49页 |
| 4.2 计算方法 | 第49-50页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第50-58页 |
| 4.3.1 RuS_4的宇称计算结果 | 第50-51页 |
| 4.3.2 Wannier函数拟合 | 第51-52页 |
| 4.3.3 RuS_4的能带的贝尔曲率和边界态计算 | 第52-55页 |
| 4.3.4 双狄拉克融合点的性质 | 第55-56页 |
| 4.3.5 拓扑带隙的来源 | 第56-58页 |
| 4.4 小节 | 第58-59页 |
| 4.5 参考文献: | 第59-60页 |
| 第五章 全文总结及展望 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
